【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，特别涉及一种增加侧壁出光的发光二极管芯片及其制造方法。
技术介绍
以GaN为代表的新一代半导体材料以其宽直接带隙、高热导率、高化学稳定性、低介电常数、抗辐射等特点而得到了广泛的研究和开发，尤其是以这种新型半导体材料为基础的蓝色、绿色、紫色和白色二极管的研究、生产和应用。但是由于氮化物较强的极化效应，缺乏导热的衬底材料，影响了传统的GaN LED的发光效率，导致了功率型LED在大电流密度下的发光效率和可靠性低等问题。解决发光二极管芯片的散热问题目前采取的方法主要是外加导热金属板或添加其他散热装置进行热量的疏导，而对于发光二极管芯片出光效率的提高目前主要办法是图形衬底技术、外延粗化技术和芯片封装技术的改进，而这些改进无疑都对技术和工艺提出·了更高的要求，生产成本也相应增加。公开号CN101814565A的专利文件中提出了一种通过改变激光划片频率来粗化芯片侧壁的方法，该方法在生长外延层之前对衬底进行划槽，生长外延层过程中气体容易落入划出的槽中造成参数不好；公开号为CN101789477A的专利文件中提出了一种通过改变光刻版的形状粗化芯片侧壁的方法，通过...
【技术保护点】
一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底或SiC衬底、外延层、透明导电层(ITO)、P电极和N电极，所述外延层包括N型GaN层(N?GaN)、量子阱层、P型GaN层(P?GaN)，其特征在于，所述芯片边缘及外延层侧面制成锯齿状，所述锯齿状部分形成于整个芯片的切割道中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄少梅，沈燕，刘青，刘乐功，刘欢，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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