一种阵列基板、显示面板、显示装置及其驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置及其驱动方法。其阵列基板包括：栅线、数据线、像素电极和像素开关，每个像素开关的源极与一个像素电极连接，位于同一条数据线两侧且与所述数据线相邻的两列像素电极通过像素开关的漏极与所述数据线连接，每行像素电极通过像素开关的栅极与一条栅线连接；同一行相邻的两个像素电极中，一个与栅极正压开启的像素开关连接，另一个与栅极负压开启的像素开关连接；同一列相邻的两个像素电极中，一个与栅极正压开启的像素开关连接，另一个与栅极负压开启的像素开关连接。本发明专利技术利用成本较低的列反转驱动电路，实现了点反转显示效果，提高了显示画面的品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
TFT-IXD (薄膜场效应晶体管-液晶显示器)、0LED (有机发光二极管)显示装置、电子纸等显示装置的阵列基板采用行列矩阵驱动模式，具体的由N行栅线和Μ列数据线交叉形成行列矩阵，并在各交叉处设置TFT (薄膜场效应晶体管)，通过TFT实现对行列矩阵中的每个像素电极的控制。在分辨率不变的前提下，为了降低产品的成本，可以考虑减少数据线的数量。为达 至|J这ー目的，现有技术提出了一种如图1所示的基于Dual Gate (双柵)的阵列基板结构，其具体实现方式如下假设显示面板的分辨率为N*M，即有N*M个像素电极。阵列基板包括N行栅线％ Gn)、M列数据线(Di DM)、和N*2M个单栅极的TFT。其中，一行栅线和一行数据线交叉处设置有2个TFT，ー个TFT为栅极正压开启的TFT (用TFT+表示)，另ー个TFT为栅极负压开启的TFT (用TFT—表示)。其工作原理为在一条栅线的扫描周期内，该栅线的前半巾贞信号为正向开启电压，作为与其连接的栅极正压开启的TFT+的使能信号，使得与TFT+连接的数据线将数据驱动信号输出给TFT+对应的像素电极10 ;该栅线的后半帧信号为负向开启电压，作为与其连接的栅极负压开启的TFT_的使能信号，使得与TFT_连接的数据线将数据驱动信号通过输出给TFT—对应的像素电极10。为了防止直流阻绝效应，減少直流残留，对显示装置像素电极的驱动一般采用正、负极性反转驱动方式，常见的反转驱动方式包括巾贞反转、行反转、列反转和点反转。针对Dual Gate结构的显示装置，点反转驱动方式所能达到的显示效果较之其他驱动方式更优，但实现点反转驱动方式的驱动电路实现成本高。目前，针对Dual Gate结构的显示装置还没有采用低成本的反转驱动电路实现高品质显示效果的解决方案。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，用以解决现有技术中的Dual Gate结构显示装置的反转驱动电路成本与显示效果无法兼顾的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的一种阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极和像素开关每个像素开关的源极与ー个像素电极连接，位于同一条数据线两侧且与所述数据线相邻的两列像素电极通过像素开关的漏极与所述数据线连接，每行像素电极通过像素开关的栅极与一条栅线连接；同一行相邻的两个像素电极，其中一个与栅极正压开启的像素开关连接，另ー个与栅极负压开启的像素开关连接；同一列相邻的两个像素电极，其中一个与栅极正压开启的像素开关连接，另ー个与栅极负压开启的像素开关连接。一种显示面板，包括上述的阵列基板。 一种显示装置，包括上述的显示面板，和用于驱动双栅Dual Gate结构阵列基板的列反转驱动电路；所述列反转驱动电路的栅线驱动端与所述阵列基板的栅线连接，所述列反转驱动电路的数据线驱动端与所述阵列基板的数据线连接。ー种上述显示装置的驱动方法，在一条栅线的扫描周期内，所述扫描周期被划分为第一时段和第二时段，该方法包括在所述扫描周期的第一时段，所述列反转驱动电路的栅线驱动端向阵列基板的一条栅线输出正向开启电压，所述列反转驱动电路的数据线驱动端向所述阵列基板的数据线输出正压数据信号；在所述扫描周期的第二时段，所述列反转驱动电路的栅线驱动端向所述栅线输出负向开启电压，所述列反转驱动电路的数据线驱动端向所述阵列基板的数据线输出负压数据信号。在包括Dual Gate结构阵列基板的显示装置中，列反转驱动电路的实现成本较低，为了利用列反转驱动电路实现点反转的驱动方式，在传统的Dual Gate结构基础上，本专利技术提供一种阵列基板，采用交替分布的栅极负压开启的像素开关和栅极正压开启的像素开关控制像素电极的开启/关闭。因此，本专利技术提供的阵列基板、显示面板、显示装置及其驱动方法利用成本较低的列反转驱动电路，实现了点反转显示效果，提高了显示画面的品质。附图说明图1为现有的Dual Gate阵列基板结构不意图；图2为本专利技术实施例提供的第一种阵列基板结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的第二种阵列基板结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的第三种阵列基板结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的显示装置结构示意图；图6为用于驱动图5所示的显示装置的驱动信号时序图；图7为本专利技术实施例提供的图6所示的显示装置的点反转效果示意图。具体实施例方式为了使用列反转驱动方式实现点反转的显示效果，实现低成本、高显示画面品质，在传统的Dual Gate结构的阵列基板基础上，本专利技术实施例提供ー种新的阵列基板结构，包括栅线、数据线、像素电极和像素开关。以图2所示的阵列基板为例，包括栅线(ら、G2、G3)、数据线(Dp D2、D3)、像素电极(Pn p36)和像素开关(201和202)，每个像素开关的源极与ー个像素电极连接，位于同一条数据线两侧且与所述数据线相邻的两列像素电极通过像素开关的漏极与所述数据线连接，每行像素电极通过像素开关的栅极与一条栅线连接。在阵列基板中，像素开关通常设置于栅线与数据线的交叉处，如图2所示。对于同一行相邻的两个像素电极(如图2中虚线框203所示)，其中ー个与栅极正压开启的像素开关(假设202为栅极正压开启的像素开关，以下同)连接，另ー个与栅极负压开启的像素开关(假设201为栅极负压开启的像素开关，以下同)连接。对于同一列相邻的两个像素电极(如图2中虚线框204所示)，其中ー个与栅极正压开启的像素开关202连接，另ー个与栅极负压开启的像素开关201连接。应当指出的是，图2所示的阵列基板结构只是本专利技术实施例提供的阵列基板结构的ー种举例，而非对本专利技术保护范围的限定。具体的，阵列基板上的栅线数量和数据线数量不仅限于3条，栅线、数据线与像素电极的连接关系也不仅限于图2所示。例如，图2所示，与每行像素电极连接的栅线位于该行像素电极的下方。但栅线与像素电极之间除了图2所示的连接关系之外，还可以如图3所示，与每行像素电极连接的栅线位于该行像素电极的上方。也可以如图4所示，与奇数行像素电极连接的栅线位于该行 像素电极的下方；与偶数行像素电极连接的栅线位于该行像素电极的上方；或者，与奇数行像素电极连接的栅线位于该行像素电极的上方；与偶数行像素电极连接的栅线位于该行像素电极的下方。或者是满足上述文字描述的任ー种连接关系。需要说明的是，上述的“上方”和“下方”具体是指，假如阵列基板具有η行像素电极，则与第n-Ι行像素电极连接的栅线位于该行像素电极的下方是指，该栅线位于第n-Ι行像素电极和第η行像素电极之间；与第n-Ι行像素电极连接的栅线位于该行像素电极的上方是指，该栅线位于第n-Ι行像素电极和第η-2行像素电极之间。上述本专利技术各实施例中所述的像素开关可以是多栅极结构的像素开关，也可以是单栅极结构的像素开关。上述本专利技术各实施例中所述的像素开关可以是任何能够控制对应的像素电极开启/关闭的半导体开关结构。优选的，可以是TFT。相应的，栅极正压开启的TFT为N沟道型TFT，栅极负压开启的TFT为P沟道型TFT。本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括上述任一实施例所述的阵列基板。本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板，和用于驱动Dual Gate结构阵列基板的列反转驱动电路。所述的列反转驱动电路的栅线驱动端与所述阵列基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极和像素开关，其特征在于：每个像素开关的源极与一个像素电极连接，位于同一条数据线两侧且与所述数据线相邻的两列像素电极通过像素开关的漏极与所述数据线连接，每行像素电极通过像素开关的栅极与一条栅线连接；同一行相邻的两个像素电极，其中一个与栅极正压开启的像素开关连接，另一个与栅极负压开启的像素开关连接；同一列相邻的两个像素电极，其中一个与栅极正压开启的像素开关连接，另一个与栅极负压开启的像素开关连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王本莲，祁小敬，蒋冬华，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：