本发明专利技术提供一种阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极相连，所述钝化层设置在所述有源层、源电极、漏电极以及像素电极上，所述公共电极隔着所述钝化层设置于像素电极上方，在所述有源层上、所述钝化层下还设有测试电极，所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘。相应地，提供所述阵列基板的制作方法、测试方法以及包括所述阵列基板的显示装置。本发明专利技术所述阵列基板以及采用本发明专利技术所述制作方法制成的阵列基板可以利用现有的测试设备进行TFT沟道特性测试。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于显示器制造
，具体涉及一种阵列基板、包括所述阵列基板的显示装置、所述阵列基板的制作方法以及所述阵列基板的测试方法。
技术介绍
随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，已经取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器
中，TFT-IXD (Thin FilmTransistor LiquidCrystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。其中，ADS (高级超维场转换技术，ADvanced SuperDimension Switch,又称 ADSDS)模式 TFT-LCD 通过在同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率，进而提高了 TFT-IXD产品的画面品质，因而广泛应用于液晶显示器领域。·在TFT-IXD中，显示面板是其主要部件，一般由制作完成的阵列基板和彩膜基板对盒组装并灌注液晶而成。在ADS模式显示面板中，为了检测TFT沟道能否正常驱动，在阵列基板制作完成后，需要对位于阵列基板上的TFT沟道特性进行测试(一般包括对TFT开关电流、阈值电压及电子迁移率的测试)。具体测试方法为先将测试设备的探针与像素电极连接(像素电极位于阵列基板的最上层，因此探针可直接与像素电极连接)，由于漏电极与像素电极连接，故测试设备的探针可以通过像素电极与漏电极连接，然后通过测试设备的探针分别向栅线、数据线输入相应信号，根据测试设备从漏电极处取得的信号来判断TFT沟道能否正常驱动。随着TFT技术的发展，行业内出现了一种能够在太阳光下可视的广视角面板一H-ADS (High aperture ADS，高开口率高级超维场转换技术)模式显示面板，在H-ADS模式显示面板的阵列基板中，由于像素电极位于阵列基板的中间部分(如图I所示，像素电极8位于栅极绝缘层5和钝化层9之间)，使得测试设备的探针既无法与像素电极连接，也无法与漏电极连接(所述漏电极也位于阵列基板的中间部分，如图I所示，漏电极7b位于有源层6与钝化层9之间)，因此无法利用现有的测试设备对H-ADS模式显示面板进行TFT沟道特性测试。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述问题，提供一种可利用现有的测试设备进行TFT沟道特性测试的阵列基板、包括所述阵列基板的显示装置、所述阵列基板的制作方法以及所述阵列基板的测试方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是所述阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极相连，所述钝化层覆盖在所述有源层、源电极、漏电极以及像素电极上，所述公共电极隔着所述钝化层设置于像素电极上方，在所述有源层上、所述钝化层下还设有测试电极，所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘。优选地，所述钝化层在所述测试电极上的位置处设有过孔。优选地，所述阵列基板·还包括栅极绝缘层；所述栅极绝缘层覆盖在栅电极上，所述有源层设置在栅电极上方的栅极绝缘层上，所述源电极与漏电极分别设置在有源层上。优选地，所述阵列基板还包括栅极绝缘层；所述栅极绝缘层覆盖在栅电极上，所述源电极与漏电极分别设置在栅电极两侧的栅极绝缘层上，所述有源层设置在所述栅电极上方的栅极绝缘层上，并延伸至所述源电极与漏电极上。 优选地，所述公共电极延伸至所述测试电极上方。本专利技术还提供一种包括上述阵列基板的显示装置。本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，其包括如下步骤I)在基板上形成薄膜晶体管、像素电极和测试电极，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，并使所述像素电极与薄膜晶体管中的漏电极相连，所述测试电极形成在有源层上，以及所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘；2)在完成步骤I)的基板上形成钝化层，并使所述钝化层覆盖在所述测试电极、有源层、源电极、漏电极以及像素电极上；3)在完成步骤2)的基板上形成公共电极，并使所述公共电极隔着所述钝化层位于像素电极上方。优选地，所述步骤2)还包括如下步骤在所述钝化层位于所述测试电极上的位置处形成过孔。优选地，所述步骤I)还包括形成栅极绝缘层的步骤，具体为在基板上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；在所述栅电极上方的栅极绝缘层上形成有源层；在所述有源层上分别形成源电极与漏电极。优选地，所述步骤I)还包括形成栅极绝缘层的步骤，具体为在基板上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；分别在所述栅电极两侧的栅极绝缘层上形成源电极与漏电极；在所述栅电极上方的栅极绝缘层上、以及源电极与漏电极上形成有源层。优选地，在所述步骤I)中，所述测试电极与所述源电极、漏电极在同一次构图工艺中形成；所述测试电极与所述源电极、漏电极的材质相同。优选地，所述公共电极延伸至所述测试电极上方。本专利技术还提供一种测试方法，用于测试上述阵列基板上的薄膜晶体管的沟道性能，所述方法包括下述步骤使待检测的像素上的公共电极与其他像素上的公共电极彼此分离；在待检测的像素中，在所述测试电极上方的钝化层上形成过孔；以及使所述公共电极与所述测试电极通过导电材料层电连接。优选地，所述导电材料层是在制造时便已隔着钝化层覆盖于所述测试电极上方的公共电极。优选地，通过激光烧熔的方法在所述测试电极上方的钝化层上形成过孔，并使导电材料层熔化并流入所述过孔中。优选地，所述导电材料层是在测试时用化学气相沉积设备沉积导电材料而形成。有益效果本专利技术所述阵列基板以及采用本专利技术所述制作方法制成的阵列基板中，由于在钝化层和有源层之间设置有测试电极，在需要进行TFT沟道特性测试时，只需在待检测的像素中的测试电极正上方的钝化层上形成过孔(或者预先已在测试电极正上方的钝化层上设置过孔)，以及使待检测的像素中的公共电极与其他像素上的公共电极彼此分离，并通过导电材料层将所述公共电极与所述测试电极通过导电材料层电连接即可将漏电极的信号经有源层传输至阵列基板表面的公共电极上，故无需对现有的测试设备进行改进就可对阵列基板进行TFT沟道特性测试。 附图说明图I为现有H-ADS模式显示面板中阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例I中所述阵列基板的制作方法流程图；图3为本专利技术实施例I中所述阵列基板的测试方法流程图；图4 (a)为本专利技术实施例2所述阵列基板的平面结构示意图，图4 (b)为图4 (a)的A-A向截面图；图5为本专利技术实施例2中所述阵列基板的制作方法流程图；图6 (a)为本专利技术实施例3所述阵列基板的平面结构示意图，图6 (b)为图6 (a)的A-A向截面图；图7 Ca)为本专利技术实施例4中所述阵列基板的平面结构示意图，图7 (b)为图7(a)的A-A向截面图；图8为本专利技术实施例5所述阵列基板中薄膜晶体管的结构示意图。图中1 一基板；2 —栅电极；3 —栅线；4 一数据线；5 —栅极绝缘层；6 —有源层；7a —源电极；7b —漏电极；8 —像素电极；9 —钝化层；10 —公共电极；11 —本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极相连，所述钝化层覆盖在所述有源层、源电极、漏电极以及像素电极上，所述公共电极隔着所述钝化层设置于像素电极上方，其特征在于，在所述有源层上、所述钝化层下还设有测试电极，所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张弥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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