阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极相连，所述钝化层设置在所述有源层、源电极、漏电极以及像素电极上，所述公共电极隔着所述钝化层设置于像素电极上方，在所述有源层上、所述钝化层下还设有测试电极，所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘。相应地，提供所述阵列基板的制作方法、测试方法以及包括所述阵列基板的显示装置。本发明专利技术所述阵列基板以及采用本发明专利技术所述制作方法制成的阵列基板可以利用现有的测试设备进行TFT沟道特性测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示器制造
，具体涉及一种阵列基板、包括所述阵列基板的显示装置、所述阵列基板的制作方法以及所述阵列基板的测试方法。
技术介绍
随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，已经取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器
中，TFT-IXD (Thin FilmTransistor LiquidCrystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。其中，ADS (高级超维场转换技术，ADvanced SuperDimension Switch,又称 ADSDS)模式 TFT-LCD 通过在同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率，进而提高了 TFT-IXD产品的画面品质，因而广泛应用于液晶显示器领域。·在TFT-IXD中，显示面板是其主要部件，一般由制作完成的阵列基板和彩膜基板对盒组装并灌注液晶而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和钝化层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极及漏电极，所述漏电极与所述像素电极相连，所述钝化层覆盖在所述有源层、源电极、漏电极以及像素电极上，所述公共电极隔着所述钝化层设置于像素电极上方，其特征在于，在所述有源层上、所述钝化层下还设有测试电极，所述测试电极与所述栅电极、所述源电极及所述漏电极电绝缘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张弥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：