阵列基板、液晶显示装置及其驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板、液晶显示装置及其驱动方法，涉及液晶显示技术领域，能够降低液晶显示装置的功耗及延长待机时间。该阵列基板包括：多个像素结构，每个像素结构包括设置于基板上的第一薄膜晶体管、第一电容、第二薄膜晶体管以及像素电极，第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极以及第一漏极，第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极以及第二漏极；以横向设置的多条第一栅极线和多条第二栅极线，第一栅极线和第二栅极线交替排布；以纵向设置的多条数据线，数据线与第一栅极线和第二栅极线分别交叉并互相绝缘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及。技术背景随着TFT-LCD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)的普及，运营商越来越注重液晶显示器的功耗问题。在现有的液晶显示器中，对液晶显示器功耗影响最大的部分就是背光源，通过降低背光源的功耗能够在很大程度上降低液晶显示器的功耗。目前，背光源主要包括冷阴极荧光灯管和发光二级管两种，对于普遍使用的发光二极管背光源而言，背光源的功耗占到整个液晶显示器功耗的近7成， 而由于现有技术条件的限制，若通过降低发光二极管的功耗(即提高发光二极管的发光效率)来降低背光源的功耗几乎是不可能的。众所周知，现有的液晶显示器是逐行扫描各个像素以进行图像显示的，其中，在扫描某一行时，该行各个像素的液晶开始偏转，而在该行各个像素的液晶进行偏转时，其他行的像素还需继续显示图像，故背光源必须一直处于开启的状态。由于背光源必须长期开启， 因此导致背光源的功耗大，进而使得液晶显示器的功耗也大。同时，对平板电脑、手机等中小尺寸的可移动液晶显示装置来说，降低功耗、延长待机时间，也已成为液晶显示行业中的迫切需求及发展趋势了。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供，能够降低液晶显示装置的功耗及延长待机时间。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案第一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括多个像素结构，每个所述像素结构包括设置于基板上的第一薄膜晶体管、第一电容、第二薄膜晶体管以及像素电极，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极以及第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极以及第二漏极；以横向设置的多条第一栅极线和多条第二栅极线，所述第一栅极线和所述第二栅极线交替排布；以纵向设置的多条数据线，所述数据线与所述第一栅极线和所述第二栅极线分别交叉并互相绝缘，其中，所述第一栅极与所述多条第一栅极线中对应的第一栅极线连接，所述第二栅极与所述多条第二栅极线中对应的第二栅极线连接，所述第一源极与所述多条数据线中对应的数据线连接，所述第一漏极通过所述第一电容与所述第二源极连接，所述第二漏极与所述像素电极连接。 根据第一方面，所述第一电容包括第一存储电极和第三存储电极，并且所述第二源极通过所述第三存储电极与所述第一漏极连接。根据第一方面，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层，所述第二薄膜晶体管还包括第二有源层，所述第一栅极、所述第一存储电极，以及所述第二栅极设置于所述基板上；在所述第一栅极、所述第一存储电极以及所述第二栅极上设置有栅绝缘层；所述第一有源层、所述第二有源层、所述像素电极以及所述第三存储电极设置于所述栅绝缘层上，且所述第三存储电极与所述第一存储电极相对应；所述第一源极和所述第一漏极设置于所述第一有源层上且与所述第一栅极相对所述第二源极和所述第二漏极设置于所述第二有源层上且与所述第二栅极相对应。根据第一方面，在所述基板与所述栅绝缘层之间设置有第二存储电极，所述第二存储电极与所述像素电极相对应，并构成第二电容。第二方面，本专利技术实施例提供一种液晶显示装置，包括背光源及以上所述的阵列基板。第三方面，本专利技术实施例提供一种用于上述液晶显示装置的驱动方法，包括在一帧图像的扫描充电周期内，通过第一栅极线开启像素结构内的作为第一开关的第一薄膜晶体管，进而通过数据线逐行为所述像素结构内的第一电容充电；在一帧图像的液晶偏转周期内，关断所述第一开关及背光源，并通过第二栅极线开启所述像素结构内的作为第二开关的第二薄膜晶体管，而使所述第一电容为像素电极充电，从而控制液晶偏转；在一帧图像的显示周期内，开启所述背光源，进行图像显示。根据第三方面，在所述一帧图像的显示周期内，所述第二开关保持开启，通过所述第一电容保持所述像素电极的电位，进而维持所述液晶的偏转。根据第三方面，当所述液晶显示装置还包括第二存储电极，且所述第二存储电极与像素电极构成第二电容时，在所述一帧图像的液晶偏转周期内，所述第一电容为所述第二电容充电；在所述一帧图像的显示周期内，关断所述第二开关，通过所述第二电容保持所述像素电极的电位，进而维持所述液晶的偏转。本专利技术提供的，阵列基板包括多个像素结构，每个像素结构包括设置于基板上的第一薄膜晶体管、第一电容、第二薄膜晶体管以及像素电极，以横向设置的多条第一栅极线和多条第二栅极线，第一栅极线和第二栅极线交替排布，以纵向设置的多条数据线，数据线与第一栅极线和第二栅极线分别交叉并互相绝缘， 其中，第一栅极与多条第一栅极线中对应的第一栅极线连接，第二栅极与多条第二栅极线中对应的第二栅极线连接，第一源极与多条数据线中对应的数据线连接，第一漏极通过第一电容与第二源极连接，第二漏极与像素电极连接。通过此方案，在液晶显示装置工作过程中，通过将所有像素结构内作为第二开关的第二薄膜晶体管同时开启，可使得液晶显示装置中的液晶同时进行偏转，由于液晶偏转过程中并不进行图像显示，因此，可以实现在液晶偏转周期内关闭背光源，从而能够降低液晶显示装置的功耗及延长待机时间。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图一；图2为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图一；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图二 ；图4为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图二 ；图5为本专利技术实施例提供的像素结构的制造方法流程图一；图6为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图三；图7为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图四；图8为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图五；图9为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图六；图10为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图七；图11为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图八；图12为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图九；图13为本专利技术实施例提供的像素结构的制造方法流程图二 ；图14为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图十；图15为本专利技术实施例提供的像素结构的结构示意图i^一 ；图16为本专利技术实施例提供的液晶显示装置的驱动时序示意图图17为本专利技术实施例提供的液晶显示装置的驱动时序示意图二。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供的液晶显示面板适用于TN(Twisted Nematic,扭曲向列)型、 ADS (Advanced Super Dimension Switch,高级超维场转换技术)型等类型的液晶显示面板的生产。TN型显示面板为扭曲向列型液晶显示面板，是显示屏屏幕的一种类型，由于低廉的生产成本使得TN成为了应用最广泛的入门级液晶面板，在目前市面上主流的中低端液晶显示器中被广泛使用。ADS技术通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：多个像素结构，每个所述像素结构包括设置于基板上的第一薄膜晶体管、第一电容、第二薄膜晶体管以及像素电极，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极以及第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极以及第二漏极；以横向设置的多条第一栅极线和多条第二栅极线，所述第一栅极线和所述第二栅极线交替排布；以纵向设置的多条数据线，所述数据线与所述第一栅极线和所述第二栅极线分别交叉并互相绝缘，其中，所述第一栅极与所述多条第一栅极线中对应的第一栅极线连接，所述第二栅极与所述多条第二栅极线中对应的第二栅极线连接，所述第一源极与所述多条数据线中对应的数据线连接，所述第一漏极通过所述第一电容与所述第二源极连接，所述第二漏极与所述像素电极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李凡，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：