阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法，涉及显示领域，无需公共电极线布线，也不需要公共电压输入信号，因此不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。本发明专利技术所述阵列基板，包括：第一栅线和与所述第一栅线相连的像素单元，还包括：正温度系数热敏电阻，所述像素单元的公共电极通过所述正温度系数热敏电阻连接至第二栅线，所述第二栅线为任一不与所述第一栅线同时输出开启电压的栅线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种。
技术介绍
在液晶显示领域，目前随着技术的不断更新，液晶显示面板正向大型化、高质量化发展，但液晶面板的大型化容易造成阵列基板的布线电阻增加，尤其当公共电极线布线电阻太大时，容易造成显示屏偏绿、闪烁及残像等显示不良。如图I所示,为一种典型的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板的结构示意图。公共电极线11与栅线12相互平行排列，经同一工序制备而成。由于在垂直 基板方向存在栅线，为了实现公共电极线11垂直方向的导通从而形成图中所示的矩阵结构，就需设置过孔，公共电极线11在垂直方向经过孔，经透明导电(ITO)层14与各公共电极161相连接。现有阵列基板的结构设计存在如下问题现有公共电极线布线繁琐，一方面降低了像素开口率，影响显示效果，另一方面布线电阻大，增加了液晶面板，尤其是大尺寸的液晶面板的功耗。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种，不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案—方面，本专利技术提供一种阵列基板，包括第一栅线和与所述第一栅线相连的像素单元，还包括正温度系数热敏电阻，所述像素单元的公共电极通过所述正温度系数热敏电阻连接至第二栅线，所述第二栅线为任一不与所述第一栅线同时输出开启电压的栅线。优选地，所述第二栅线与所述第一栅线相邻，为所述第一栅线的上一行栅线或下一行栅线。可选地，所述正温度系数热敏电阻至少有部分区域重叠设置在所述公共电极上；所述第二栅线设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极通过所述正温度系数热敏电阻与所述第二栅线相连接。可选地，所述正温度系数热敏电阻设置在所述第二栅线上；所述公共电极至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极通过所述正温度系数热敏电阻与所述第二栅线相连接。优选地，所述正温度系数热敏电阻与所述栅线具有相同的图形。优选地，所述正温度系数热敏电阻的材质为有机高分子正温度系数导电材料。本专利技术还提供一种显示装置，包括所述的任一阵列基板。另一方面，本专利技术还提供一种阵列基板的制造方法，适用于平面场模式的阵列基板，所述方法包括沉积透明导电层，采用构图工艺形成公共电极，沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在所述公共电极上形成一正温度系数热敏电阻，且保证所述正温度系数热敏电阻至少有部分区域重叠设置在对应的所述公共电极上，沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线，且保证每一行所述栅线通过所述正温度系数热敏电阻与一相邻行的所述公共电极相连接； 然后依次形成栅绝缘层、半导体层、数据线层、表面保护层和像素电极层；或者，沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线，沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在栅线上形成正温度系数热敏电阻；沉积透明导电层，采用构图工艺在预设位置形成公共电极，且保证每一行所述公共电极至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极均通过所述正温度系数热敏电阻与一相邻行栅线相连接；然后依次形成栅绝缘层、半导体层、数据线层、表面保护层和像素电极层。可选地，所述正温度系数热敏电阻与所述栅线具有相同的图形。另一方面，本专利技术还提供一种所述阵列基板的驱动方法，包括所述第一栅线输出开启电压时，与所述第一栅线相连的像素单元打开，同时所述第二栅线输出关闭电压，所述第二栅线通过所述正温度系数热敏电阻，向所述公共电极提供关闭电压作为所述公共电极的公共电压；所述第一栅线输出关闭电压时，与所述第一栅线相连的像素单元关闭，同时所述第二栅线输出开启电压，所述正温度系数热敏电阻随温度剧增，使所述第二栅线和所述公共电极断开。本专利技术提供的中，任一行像素单元的公共电极均通过正温度系数热敏电阻连接至另一行栅线，当某一行像素单元打开时，与该行像素单元的公共电极相连的另一行栅线处于低压状态(输出关闭电压)，正温度系数热敏电阻导通，另一行栅线输出的关闭电压作为公共电压输入该行像素单元的公共电极；当另一行栅线处于高压状态(输出开启电压)时，正温度系数热敏电阻随温度剧增，使第二栅线与像素单元的公共电极断开，所以无需公共电极线布线，也不需要公共电压输入信号，从而不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。附图说明图I为现有阵列基板的结构不意图；图2本专利技术实施例一提供的阵列基板的结构正视示意图；图3为本专利技术实施例一阵列基板沿a_a’方向的一结构不意图；图4为本专利技术实施例一阵列基板沿a_a’方向的另一结构不意图；图5为本专利技术实施例二阵列基板制造方法流程图；图6(a)和(b)为本专利技术实施例二中公共电极的截面结构示意图和正视示意图；图7(a)和(b)为本专利技术实施例二中正温度系数热敏电阻的截面结构示意图和正视不意图；图8(a)和(b)为本专利技术实施例二中栅线的截面结构示意图和正视示意图；图9为本专利技术实施例二中另一阵列基板制造方法的示意图；图10为本专利技术实施例三中阵列基板的驱动方法的示意图。附图标记说明11-公共电极线，12-栅线，122-第二栅线，121-第一栅线，13-数据线层，14-透明导电层，15-正温度系数热敏电阻，16-像素单元，161-公共电极，17-栅绝缘层，18-半导体层，19-像素电极层，20-表面保护层。具体实施例方式本专利技术实施例提供一种，不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。现有显示装置大多采用逐行扫描的方式，以下以薄膜晶体管显示器(TFT-IXD)为例进行说明。在一帧的时间内，驱动电路向第一行栅线输出高压(即开启电压，为便于理解以下叙述中也称高压)，向其它行则输出低压(即关闭电压)，从而控制第一行TFT打开，通过数据线向第一行像素单元加载显示数据；随后，关闭第一行，向第二行栅线输出高压打开第二行TFT，此时包括第一行在内的其它行则输入低压，处于关闭状态，数据线向第二行像素单元加载显示数据；以此类推，逐行打开并加载显示数据完成一帧图像的显示，这个过程时间很短，由于视觉暂留特性，人眼看到的是完整图像。每一行TFT只有在打开以便向像素单元加载显示数据时，该行栅线才输出高压，而其余时间处于低压状态，因此，本专利技术设计思想是当栅线输出关闭电压时，将关闭电压作为公共电压输入像素单元中的公共电极。这样，即可省去公共电极线，也不再需要公共电压输入信号。下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例一本专利技术实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括多个像素单元，像素单元与第一栅线相连，还包括正温度系数热敏电阻，像素单元的公共电极通过正温度系数热敏电阻连接至第二栅线，第二栅线为任一不与第一栅线同时输出开启电压的栅线。本实施例中的第一栅线，用于泛指阵列基板上的某条栅线，并不用于限定；所述像素单元为与第一栅线相连，受第一栅线控制的所有像素单元；而所述第二栅线特指不与第 一栅线同时输出开启电压的任一栅线。具体地，本专利技术在栅线与公共电极之间沉积正温度系数热敏电阻(PositiveTemperature Coefficient, PTC),作为控制栅线与公共电极接通或断开的介质。本专利技术实施例中的正温度系数热敏电阻(PTC)，泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件(以下简本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：多个像素单元，所述像素单元与第一栅线相连，其特征在于，还包括：正温度系数热敏电阻，所述像素单元的公共电极通过所述正温度系数热敏电阻连接至第二栅线，所述第二栅线为任一不与所述第一栅线同时输出开启电压的栅线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郤玉生，胡海琛，刘家荣，张春兵，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：