一种阵列基板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板，该阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极和绝缘部，所述绝缘部包括多个第一过孔；所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于所述第一过孔的底表面。本实用新型专利技术提供的阵列基板能够形成具有较好可控区域的液晶分子旋转电场，达到提高液晶显示装置的透过率、亮度和对比度的目的，避免了因像素电极和公共电极存在较大的交叠区域而导致形成较大存储电容的问题，从而可以避免因较大存储电容导致的Greenish和线残像等品质性不良问题，提高了产品良率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板。
技术介绍
目前 TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)存在多种电场显示模式，如ADS、IPS (In-Plane Switching，共平面切换)、VA等，不同的显示模式具有不同的设计结构，因此不仅在产品品质方面存在显著不同，在阵列基板制备工艺中也存在较大差异。图I所示为IPS显示模式的阵列基板结构，包括衬底基板11、像素电极12和公共电极13，其像素电12和公共电极13在同一平面上交替排列，形成图I中箭头所示方向的电 场；基于图I所示的结构，IPS显示模式的阵列基板采用4次构图(即4mask)工艺制作，具体为栅线和栅极构图，有源层、数据线和源漏电极构图，过孔构图，像素电极和公共电极构图；即IPS显示模式的阵列基板中，像素电极和公共电极在同一构图工艺中形成。图2所示为ADS显示模式的阵列基板结构，包括衬底基板21、像素电极22和公共电极23，其像素电极22与公共电极23为上下层设置关系，如图2所示，像素电极22在上层，由具有狭缝结构的透明电极图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极和绝缘部，其特征在于，所述绝缘部包括多个第一过孔；所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于所述第一过孔的底表面。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极和绝缘部，其特征在于， 所述绝缘部包括多个第一过孔； 所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或 所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：封宾，林鸿涛，王章涛，邵喜斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：