一种像素电极结构、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种像素电极结构及包括该像素电极结构的阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。为了消除ADS驱动模式下的显示技术中经常出现的色偏现象，本发明专利技术所提供的像素电极结构中，所述蓝色子像素电极单元中电极大小与电极间距的比例设置为大于所述红色子像素电极单元及绿色子像素电极单元，由此使得蓝色像素的像素电极的隙缝设计得与红色像素及绿色像素不同，即将其设计得具备有较高的透过率，从而克制红光像素的透过率过大，解决在中间色调中因折射率的各向异性增加而导致的透过区域内出现的偏黄的色偏现象，进而可以制作出画质优秀的半透半反式LCD。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体涉及一种像素电极结构、阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay,简称TFT-IXD)是显示产品中主要使用的显示装置。由于笔记本电脑、显示器、电视等产品多为主要在室内使用的显示装置，因此大部分采用透过式的TFT-LCD产品。高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch, ADS)具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。被广泛应用于各种显示产品中，其核心技术为通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能 够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。目前随着某些显示产品不仅需要在室内使用，也需要在室外使用。为了满足其室内/室外的应用需求，通常使用半透半反式显示屏技术。半透半反式显示屏技术是指将像素的一部分区域用作反射区域，而剩余的区域用作透过区域，其将来自本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电极结构，所述像素电极结构包括N个子像素电极单元，所述N个子像素电极单元分别对应彩膜N色模式中的其中一个颜色，对应显示不同的色光，其特征在于，所述N个子像素电极单元中各自的电极宽度与电极间夹缝宽度之和不同，其中N≥2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林允植，田正牧，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：