阵列基板及显示器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板及显示器件，所述阵列基板，包括形成在基板上的公共电极和像素电极；所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开，所述第二公共电极与所述像素电极同层设置，所述像素电极为条状电极，所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。所述显示器件，包括上述阵列基板。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及显示器件。技术背景近些年来，薄膜晶体管 液晶显示器凭借其低功耗，无辐射等优点逐渐成为目前显示产品市场的主流趋势。图I为一种传统TFT-IXD中像素的平面结构示意图，图Ia和图Ib分别为图I中两个局部区域的放大图，图2对应于图I中的A-A'位置的剖视图，在图示的像素结构中，公共电极I为板状电极，像素电极2为条状电极，像素电极2位于公共电极I上方，像素电极2与公共电极I之间形成边缘电场Ef，并且公共电极I与像素电极2之间有很大的交叠面积，即公共电极I与像素电极2分别在基板上的投影的重合面积很大，由此在公共电极I和像素电极2之间形成的存储电容较大，基于该像素结构所形成的显示器件中易出现与像素的充放电相关的不良现象，对于大尺寸高频率的显示面板制造而言，该问题将会愈加严重。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术要解决的首要技术问题是如何增强液晶显示器件中的液晶光效，以实现其高透过率；本技术进一步要解决的技术问题是如何避免像素电极与公共电极间存储电容过大所出现的充放电不良的现象。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本技术提供一种阵列基板，包括形成在基板上的公共电极和像素电极；所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开，所述第二公共电极与所述像素电极同层设置，所述像素电极为条状电极，所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。其中，所述第一公共电极为板状电极。其中，所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影，所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影内。其中，所述第一公共电极为条状电极。其中，所述第一公共电极的宽度小于所述像素电极的宽度；所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影，所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影，所述第二投影完全落入所述第一投影内。其中，所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影，所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影，所述第一投影宽度方向的两端区域分别与两个相邻第二投影的部分区域重合。其中，所述第一公共电极的宽度大于相邻的两个像素电极之间开口的宽度。其中，所述第一投影与第二投影重合区域的宽度为6 μ m- ο μ m。其中，每条所述像素电极和第二公共电极分别包括一体形成的两部分电极，该两部分电极之间具有一定夹角。本技术还公开了一种显示器件，该显示器件包括上述任一项所述的阵列基板。(三)有益效果上述技术方案所提供的阵列基板及显示器件，通过设置条状的像素电极，并在像素电极下方设置第一公共电极以形成边缘电场，与像素电极同层设置条状第二公共电极且使像素电极与第二公共电极间隔布置，以形成面内电场，从而达到增强液晶光效、实现高透过率的技术效果，高透过率的阵列基板还能大大节省显示器件中背光源的能量损耗，同时条状分布的像素电极结构也能够避免传统TFT-LCD中像素中心区域透过率较低的现象；此外，由于设置第二公共电极，像素电极的面积相对减小，从而与第一公共电极的交叠面积会在一定程度上减少，能够解决像素结构中由于存储电容过大引起的充放电不良等技术问题。附图说明图I示出了传统TFT-IXD像素的平面结构示意图；图Ia示出了图I中M区域的局部放大图；图Ib示出了图I中N区域的局部放大图；图2示出了传统TFT-IXD中电极与电场的结构示意图；图3示出了本技术实施例I中TFT-IXD像素的平面结构示意图；图4示出了本技术实施例I中与图3中k-k'位置对应的剖视结构及电场状态不意图；图5示出了基于本技术实施例I的显示器件对应于图3中B-B'位置的剖视图；图6示出了本技术实施例2中与图3中A-A^位置对应的剖视结构及电场状态不意图；图7示出了基于本技术实施例2的显示器件对应于图3中B-B'位置的剖视图；图8示出了本技术实施例3中与图3中A-A^位置对应的剖视结构及电场状态不意图；图9示出了基于本技术实施例3的显示器件对应于图3中B-B'位置的剖视图。其中，I :公共电极；2 :像素电极；3 :绝缘层；4 :钝化层；5 :阵列基板；6 :数据线；7 :液晶层；8 :遮光膜；9 :彩膜基板；Ef :边缘电场；EP :面内电场。具体实施方式以下结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。实施例I图3示出了本实施例中TFT- IXD中像素的平面结构示意图，图4是对应图3中A-A'位置的剖视图。参照图示，本实施例改变了传统的基板上所设置的像素电极和公共电极的结构，采用一种新型的结构来设置像素电极和公共电极，具体地，像素电极2设置为条状电极，公共电极I包括设置于所述像素电极2下方且通过绝缘层与所述像素电极2隔开的第一公共电极(图中未标示)，以及与所述像素电极2同层设置的第二公共电极(图中未标示)，所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极2相互间隔排列。位于所述像素电极2下方的第一公共电极与像素电极2形成边缘电场Ef，与所述像素电极2同层设置的第二公共电极与像素电极2形成面内电场Ep，边缘电场与面内电场同时存在，能够达到增强液晶光效、实现高透过率的技术效果。进一步地，所述第一公共电极设置为板状电极；将所述像素电极2在所述基板上的投影记为第一投影，所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影内，即所述第一投影与第二投影的重合区域的面积就是第一投影的面积。因所述像素电极2为条状电极，每一条状像素电极2与第一公共电极相交叠的面积(即两者投影相重合的面积)与现有技术中板状像素电极与板状公共电极间的交叠面积相比大大减小，像素电极2与第一公共电极间形成的存储电容较小，可以避免由于存储电容过大引起的充放电不良等一系列问题。本实施例中，像素电极2为均匀布置的条状电极，像素电极2与其下方第一公共电极相交叠的区域的宽度设置在6 μ m- ο μ m之间，因本实施例中像素电极2与第一公共电极之间相交叠的区域完全为像素电极2自身的区域，所以上述宽度即可以理解为是像素电极2的宽度，像素电极2与第一公共电极之间所形成的存储电容用于维持像素电极2的电压，若上述宽度值较大，则形成的存储电容较大，引起像素电极2充电不良，不易充满；该宽度值过小的话，存储电容则不能够有效维持像素电极2的电压。基于上述阵列基板，本实施例还提供了一种显示器件，图5示出了基于上述阵列基板的显示器件对应于图3中B-B'位置的剖视图，参照图示，该显示器件包括阵列基板5、彩膜基板9以及位于阵列基板5和彩膜基板9之间的液晶层7，具体地，阵列基板5上形成有板状的第一公共电极、绝缘层3、数据线6、钝化层4、条状的像素电极2以及与像素电极2同一层面并相互间隔布置的条状的第二公共电极，彩膜基板9上设置有遮光膜8。图3中，每条所述像素电极和第二公共电极分别包括一体形成的两部分电极，该两部分电极之间具有一定夹角；即，所述像素电极和第二公共电极都呈弯曲的条状。上述显示器件可以为液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括形成在基板上的公共电极和像素电极；其特征在于，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开，所述第二公共电极与所述像素电极同层设置，所述像素电极为条状电极，所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括形成在基板上的公共电极和像素电极；其特征在于，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开，所述第二公共电极与所述像素电极同层设置，所述像素电极为条状电极，所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。2.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极为板状电极。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影，所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影内。4.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极为条状电极。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极的宽度小于所述像素电极的宽度；所述像素电极在所述基板上...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：