用于显示装置的阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

公开了一种用于显示装置的阵列基板及其制造方法。所述装置包括：基板；栅线，所述栅线沿第一方向形成在所述基板上；数据线，所述数据线沿第二方向形成在所述基板的上方，其中所述数据线与所述栅线彼此交叉以限定像素区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述像素区域中，并且具有漏极、与所述栅线连接的栅极以及与所述数据线连接的源极；像素电极，所述像素电极形成在所述像素区域中，并且与所述漏极连接；第一辅助栅极图案，所述第一辅助栅极图案形成在所述栅线的上方并且与所述栅线接触，以及第一辅助数据图案，所述第一辅助数据图案形成在所述数据线的上方并且与所述数据线接触。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及一种用于显示装置的阵列基板，特别是涉及一种用于包括薄膜晶体管的显示装置的阵列基板，以及该阵列基板的制造方法。
技术介绍
随着信息技术的快速发展，需要各种用于显示图像的显示装置。已提出诸如液晶显示(IXD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置和有机发光二极管(OLED)装置之类的平板显示(FPD)装置。·在所述Fro装置中，IXD装置由于尺寸小、重量轻、外形薄以及功耗低的优势得到广泛应用。包括以矩阵形式布置的像素和用于控制各个像素的开/关的开关元件的有源矩阵型显示装置已经得到广泛应用。有源矩阵型显示装置包括阵列基板，在所述阵列基板上形成有栅线、数据线、开关元件以及像素电极。以下将参照附图来描述阵列基板。图I是表示根据现有技术的用于显示装置的阵列基板的平面图。在图I中，栅线22和数据线52彼此交叉以限定像素区域P。薄膜晶体管T与栅线22和数据线52连接。薄膜晶体管T包括栅极24、有源层42、源极54和漏极56。栅极24与栅线22连接，源极54与数据线52连接，并且漏极56与源极54分隔开。有源层42在源极54和漏极56之间被暴露，并且有源层42的暴露部分成为薄膜晶体管T的沟道。像素电极72形成在像素区域P中并通过漏极接触孔62与薄膜晶体管T的漏极56连接。将参照图2描述根据现有技术的用于显示装置的阵列基板的截面结构。图2是表示根据现有技术的用于显示装置的阵列基板的截面图，并且图2对应于沿图I的II-II线截取的截面。图2中，在基板10上形成有栅线22和与栅线22连接的栅极24，并且在栅线22和栅极24上形成有栅绝缘层30。在栅绝缘层30上且在栅极24的上方形成有本征硅的有源层42，而在有源层42上形成有掺杂硅的欧姆接触层44。在欧姆接触层44上形成有数据线52、源极54和漏极56。在数据线52、源极54和漏极56上形成有钝化层60。钝化层60包括暴露漏极56的漏极接触孔62。在钝化层60上形成有像素电极72，并且像素电极72通过漏极接触孔62与漏极56连接。近来，由于显示装置被要求具有大尺寸和高清晰度，所以诸如栅线22和数据线52之类的信号线的长度变得更长。于是，信号线的电阻增大，引起信号延迟。另外，由于驱动速度提高，所以施加给信号线的负载升高。为解决这些问题，人们进行了各种尝试。例如，通过加宽信号线的宽度可降低信号线的电阻。在这种情况下，由于像素区域的面积减小，使孔径比减小并且亮度降低。这里，亮度可通过增加所供给的光的量来提高。然而，这使功耗升高，并且发光效率降低。可替代地，通过加厚信号线的厚度可减小信号线的电阻。然而，信号线是通过沉积金属材料以形成金属层并且选择性地构图(pattern)所述金属层而形成的。于是，为了加厚信号线的厚度，应加厚所述金属层的厚度，进而用于沉积的金属材料的量也增加。此外，用于构图所述金属层的刻蚀剂的量也增加。因此，阵列基板的制造成本提高。 同时，某些金属材料在与基板接触方面具有不良性能，并且当这些金属材料形成得厚时，可能会断裂或从基板上剥离。因此，信号线厚度的增加具有限度。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种用于显示装置的阵列基板以及所述阵列基板的制造方法，所述阵列基板和制造方法基本上消除了由于现有技术的局限和缺陷而导致的一个或多个问题。本专利技术的一个优点在于提供了一种能够减小信号线电阻的用于显示装置的阵列基板及所述阵列基板的制造方法。本专利技术的另一个优点在于提供了一种能够提高孔径比和亮度的用于显示装置的阵列基板及所述阵列基板的制造方法。本专利技术的其它特点和优点将在下面的描述中阐明，其中的一部分从说明书中是显而易见的，或可以通过对本专利技术的实施而获悉。本专利技术的这些和其他优点可以通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。为实现这些和其他优点，根据本专利技术的实施方式的目的，如在此具体和概括描述的那样，一种用于显示装置的阵列基板包括基板；栅线，所述栅线沿第一方向形成在所述基板上；数据线，所述数据线沿第二方向形成在所述基板的上方，其中所述数据线与所述栅线彼此交叉以限定像素区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述像素区域中，并且具有漏极、与所述栅线连接的栅极和与所述数据线连接的源极；像素电极，所述像素电极形成在所述像素区域中，并且与所述漏极连接；第一辅助栅极图案，所述第一辅助栅极图案形成在所述栅线的上方并且与所述栅线接触；以及第一辅助数据图案，所述第一辅助数据图案形成在所述数据线的上方并且与所述数据线接触。此外，以上用于显示装置的阵列基板可进一步包括栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅线和所述栅极，并且在所述数据线的下方；钝化层，所述钝化层形成在所述数据线和所述栅绝缘层上；第一接触孔，所述第一接触孔形成在所述钝化层和所述栅绝缘层中，并且沿所述第一方向暴露所述栅线；以及第二接触孔，所述第二接触孔形成在所述钝化层中，并且沿所述第二方向暴露所述数据线，其中所述第一辅助栅极图案可形成在所述第一接触孔中；并且所述第一辅助数据图案可形成在所述第二接触孔中。此外，以上用于显示装置的阵列基板可进一步包括漏极接触图案，其中所述钝化层可进一步形成在所述漏极上并包括漏极接触孔，所述漏极接触图案可形成在所述漏极接触孔中并且接触所述漏极，而所述像素电极可覆盖并接触所述漏极接触图案。此外，以上用于显示装置的阵列基板可进一步包括第二辅助栅极图案，所述第二辅助栅极图案形成在所述第一辅助栅极图案上，以覆盖、接触和保护所述第一辅助栅极图案；以及第二辅助数据图案，所述第二辅助数据图案形成在所述第一辅助数据图案上，以覆盖、接触和保护所述第一辅助数据图案。此外，在以上用于显示装置的阵列基板中，所述第二辅助栅极图案和所述第二辅助数据图案可由与所述像素电极的材料相同的材料形成。 此外，在以上用于显示装置的阵列基板中，所述第一辅助栅极图案和所述第一辅助数据图案可通过覆镀法(plating)形成。此外，在以上用于显示装置的阵列基板中，所述漏极接触图案、所述第一辅助栅极图案和所述第一辅助数据图案可通过覆镀法形成。此外，在以上用于显示装置的阵列基板中，所述第一辅助栅极图案和所述第一辅助数据图案可由铜、铬或镍形成。此外，在以上用于显示装置的阵列基板中，所述漏极接触图案、所述第一辅助栅极图案和所述第一辅助数据图案可由铜、铬或镍形成。此外，在以上用于显示装置的阵列基板中，所述第一辅助数据图案可沿所述数据线一体形成。此外，以上用于显示装置的阵列基板可进一步包括公共线，所述公共线形成在相邻的栅线之间，并且与所述栅线平行，其中所述栅绝缘层可进一步覆盖所述公共线；电容电极，所述电容电极形成在所述公共线的上方，彼此交叠的所述电容电极和所述公共线与在所述电容电极和所述公共线之间的所述栅绝缘层一起形成存储电容器；以及电容接触图案，其中所述钝化层可进一步形成在所述电容电极上，并且所述钝化层包括电容接触孔，所述电容接触图案可形成在所述电容接触孔中并且接触所述电容电极，并且所述像素电极可覆盖并接触所述电容接触图案。此外，在以上用于显示装置的阵列基板中，所述漏极接触图案、所述第一辅助栅极图案、所述第一辅助数据图案和所述电容接触图案可通过覆镀法形成。此外，在以上用于显示装置的阵列基板中，所述漏极接触图案、所述第一辅助栅极图案、所述第一辅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于显示装置的阵列基板，所述用于显示装置的阵列基板包括：基板；栅线，所述栅线沿第一方向形成在所述基板上；数据线，所述数据线沿第二方向形成在所述基板的上方，其中所述数据线与所述栅线彼此交叉以限定像素区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述像素区域中，并且具有漏极、与所述栅线连接的栅极以及与所述数据线连接的源极；像素电极，所述像素电极形成在所述像素区域中，并且与所述漏极连接；第一辅助栅极图案，所述第一辅助栅极图案形成在所述栅线的上方并且与所述栅线接触；以及第一辅助数据图案，所述第一辅助数据图案形成在所述数据线的上方并且与所述数据线接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：南承熙，柳洵城，文泰亨，李揆煌，宋泰俊，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：