高密度厚膜混合集成电路的集成方法技术

本发明专利技术公开了一种高密度厚膜混合集成电路的集成方法，该方法是先用厚膜常规制作工艺制作含有厚膜导带、阻带及键合区的底座基片及小陶瓷基片，小陶瓷基片与底座基片连接的引脚以厚膜的方式分别从小陶瓷基片的两面制作在与底座基片集成的同一端；接着在引脚键合区及底座基片相应的键合区形成金球；然后采用厚膜混合集成方式，在小陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或其他片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；最后将集成后的小基片垂直集成在底座基片上，完成高密度厚膜混合集成电路。本发明专利技术采用三维竖向垂直集成，将一个以上半导体芯片或片式元器件垂直集成在同一底座基片上，实现高密度三维集成，提高厚膜混合集成电路的集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及混合集成电路，具体而言，涉及厚膜混合集成电路，进一步来说，涉及高密度厚膜混合集成电路。
技术介绍
原有厚膜混合电路的集成技术中，在陶瓷基片的混合集成面采用二维平面集成技术，将半导体芯片、其他片式元器件直接装贴在厚膜基片上，再采用键合丝(金丝或硅铝丝)进行引线键合，完成整个电器连接，最后在特定的气氛中将管基和管帽进行密封而成。原有技术存在的主要问题是由于是采用二维平面集成技术，半导体芯片、其他片式元器件以最大面方向贴装到陶瓷基片上，芯片与基片的引线键合从一个焊点到另一个焊点之间需要一定的跨度，再加上基片上还需要根据具体电路的要求制作必要的厚膜电阻、厚膜电容、厚膜 电感等，因此，基片表面的芯片贴装数量有限，芯片集成效率受基片面积的影响，芯片集成度难以提高。经检索，涉及高密度集成电路的中国专利申请件不少，如99813068. O号《高密度集成电路》、02121825. O号《高密度集成电路构装结构及其方法》、200410063042. 6号《高密度集成电路》、201010141336. I号《高密度集成电路模块结构》、201110334691. 5号《一种高密度集成电路封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高密度厚膜混合集成电路的集成方法，其特征是先采用厚膜常规制作工艺在陶瓷基片上制作所需厚膜导带、阻带及键合区，完成底座基片及小陶瓷基片的制作，其中，小陶瓷基片与底座基片连接的引脚以厚膜的方式分别从小陶瓷基片的两面制作在与底座基片集成的同一端；接着在引脚键合区采用金丝球键合或丝网印刷后再流焊的方法形成金球，用同样的方法在底座基片相应的键合区域形成金球；然后，采用厚膜混合集成的方式，在小陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；最后，将集成后的小陶瓷基片垂直集成在底座基片上，完成高密度厚膜混合集成电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨成刚，苏贵东，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：