【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子
,特别涉及一种遮蔽装置及具有其的半导体处理设备。
技术介绍
很多半导体工艺通常都是在真空环境下进行的。例如物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD) 一般是在密封腔室中进行的,腔室里具有用于支撑布置在其上的衬底的基座。基座通常包括衬底支承,衬底支承具有布置在其中的电极以在工艺进行过程中将衬底静电地保持在衬底支承上。一般地,由将被沉积到衬底上的材料所构成的靶材与衬底相对设置,通常情况下是紧固到腔室的顶部。在衬底和靶材之间供应气体,例如氩气, 将所供应的气体激发形成等离子体。靶材被施加偏压,使得等离子体中的离子朝着靶材加速运动以轰击靶材。离子撞击靶材使得材料从靶材中被去除,且去除的材料被吸引向衬底, 并且在衬底上沉积一层材料薄膜。一般地,在PVD腔室中进行两个操作以确保工艺性能。第一步工艺被称为预烧靶材。靶材预烧一般是从靶材的表面清除氧化物和其他杂质,并且通常在腔室已经暴露到大气或者停用了一段时间之后进行。在预烧工艺期间,将辅助晶片或者遮蔽盘布置在衬底支承上,以防止靶材材料沉积在衬底支承上。预烧工艺一般包 ...
【技术保护点】
一种遮蔽装置,其特征在于,包括:遮蔽盘;托盘,所述托盘用于承载所述遮蔽盘,且所述托盘之中设置有至少一个传感器,所述至少一个传感器用于检测所述遮蔽盘的状态;和转轴,所述转轴与所述托盘相连以带动所述托盘在空余位置和遮蔽位置之间移动。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:文莉辉,窦润江,
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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