一种掩膜板及阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术实施例提供一种掩膜板及阵列基板的制造方法，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，能够增加扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低显影液的浓度，以避免扇出导线区域附近的TFT在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。本发明专利技术的掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及。
技术介绍
随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-IXD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。·在整个TFT-LCD的阵列基板的布局中，像素区的数据线走线较为稀疏，扇出导线区域的扇出导线走线十分稠密。现有的制作扇出导线的工艺中，在刻蚀源漏极层时，是对对应于扇出导线之间的间隔的光刻胶进行全曝光，而对对应于扇出导线的光刻胶不进行曝光，这样在显影时，扇出导线区域显影掉的光刻胶远远少于像素区的显影掉的光刻胶，由于随着显影液与光刻胶的反应，显影液的浓度会逐渐减小，因此扇出导线区域显影液的浓度则会高于像素区显影液的浓度，这会导致扇出导线区域附近的TFT沟道区域对应的光刻胶容易被过显影，光刻胶偏薄或被显影掉，从而导致刻蚀后的TFT丧失开关特性，产品良品率低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供，能够增加扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低显影液的浓度，以避免扇出导线区域附近的TFT在刻蚀后丧失开关特性，提闻了广品的良品率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案本专利技术提供一种掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，所述第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时，所述部分透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，所述全透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。所述部分透射区域设置有掩膜材料层。所述掩膜材料层为铬、钥、钛金属氧化物或氮化物层。所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。本专利技术还提供一种阵列基板的制造方法，包括在衬底上形成源漏极层；在所述源漏极层上涂覆光刻胶；使用具有上述任意特征的的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后与第二图案区的部分透射区域对应的区域形成光刻胶部分保留区域，与第二图案区的全透射区域对应的区域形成光刻胶完全去除区域；采用刻蚀工艺，刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的所述源漏极层。本专利技术提供的，掩膜板包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，其中，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。通过该方案，由于掩膜板的第二图案区包括半透射区和全透射区，因此在刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分 保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，相对于现有技术形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域而言，增加了扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低了显影液的浓度，从而避免了扇出导线区域附近的TFT沟道区域由于过显影在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术提供的掩膜板的结构示意图；图2为阵列基板扇出导线区的俯视图；图3为阵列基板扇出导线区的侧视图；图4为本专利技术提供的阵列基板的制造方法流程示意图；图5为本专利技术提供的刻蚀源漏极层过程中的扇出导线结构示意图一；图6为本专利技术提供的刻蚀源漏极层过程中的扇出导线结构示意图二 ；图7为本专利技术提供的掩膜板的制造方法流程示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是本专利技术实施例的“上” “下”只是参考附图对本专利技术实施例进行说明，不作为限定用语。本专利技术实施例提供的掩膜板1，如图I所示，包括基板10，设置于基板10上的第一图案区及第二图案区11，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区11对应于阵列基板的扇出导线区，所述第二图案区11包括部分透射区域110和全透射区域111，当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时，所述部分透射区域110使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，所述全透射区域111使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。进一步地，所述部分透射区域设置有掩膜材料层。进一步地，所述掩膜材料层可以为半透明的铬、钥、钛金属氧化物或氮化物层，具体地，可以为多氧化铬层，还可以为透明耐热高分子材料、聚合物等。进一步地，所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。如图2和图3所示，图2为阵列基板扇出导线区的俯视图，图2为阵列基板扇出导线区的侧视图，在图2和图3中，阴影部分为扇出导线，其余部分为扇出导线之间的间隔。·本专利技术提供的一种掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，其中，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。通过该方案，由于掩膜板的第二图案区包括半透射区和全透射区，因此在刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，相对于现有技术形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域而言，增加了扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低了显影液的浓度，从而避免了扇出导线区域附近的TFT沟道区域由于过显影在刻蚀后丧失开关特性，提闻了广品的良品率。在制备阵列基板扇出导线的工艺中，当刻蚀扇出导线区源漏极层时，使用本专利技术实施例提供的掩膜板，该掩模板包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域。示例性的，如图4所示，本专利技术实施例提供一种阵列基板的制造方法，使用上述实施例所提供的掩膜板，该方法包括SlOl、在衬底上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，其特征在于，所述第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时，所述部分透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，所述全透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王凤国，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：