金属陶瓷基底的封装以及用于封装这种基底的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于金属陶瓷基底的封装，所述基底包括陶瓷层、多个在所述陶瓷层的至少一个表面上所构成的单个敷镀金属以及布置在其间的预定折断线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求I前序部分所述的封装以及一种根据权利要求8前序部分所述的方法。
技术介绍
已知例如用于将金属层或金属片(例如铜片或铜箔)相互连接和/或与陶瓷或陶瓷层相连的所谓的“DCB工艺”(直接铜焊连接技术)，更确切地说，就是借助在其表面上具有由金属和反应气体、优选氧气的化合而构成的层或敷层(熔敷层)的金属片或铜片或者金属箔或铜箔。在例如专利文献US-PS 37 44 120或者DE-PS 23 19 854所述的方法中，所述层或者敷层(熔敷层)会构成熔化温度比金属(例如铜)更低的易熔质，使得所有的 层可通过把薄膜敷到陶瓷上面并且通过加热所有的层而相互连接，也就是说通过金属或者说铜基本仅在熔敷层或者说氧化层的范围内的熔敷。所述DCB方法例如就包括下述步骤■这样来使铜箔氧化，使得会形成均匀的铜氧化层；■把铜箔敷到陶瓷层上；■将该复合结构加热到约1025°C至1083°C的过程温度，例如加热至约1071°C ；■冷却至室温。已知把金属陶瓷基底、尤其是大面积金属陶瓷基底或者说制造为多用式的金属陶瓷基底作为电路或电气模块的基底或印刷电路板。所述金属陶瓷基底例如由一个陶瓷层或者由一个较大面积的陶瓷基底构成，借助DCB方法(DCB连接)给所述陶瓷基底在至少一个表面上敷镀例如形式为铜箔的敷镀金属。构造所述敷镀金属以便形成例如同样的单个敷镀金属。在单个敷镀金属之间向例如为矩形或正方形的陶瓷层中设置预定折断线，所述金属陶瓷基底优选在安装电气组件后通过折断可以在所述预定折断线处被分成单个基底或者单个电路或模块。所述预定折断线能够使得大面积金属陶瓷基底更加易于被分成单个基底，但尤其是在运输的过程中也会引起金属陶瓷基底所不期望的相对容易的折断。根据本专利技术，所述大面积金属陶瓷基底或者说被制造为可多次使用的金属陶瓷基底可被理解为是指那些例如规格为178mmX 127mm或者具有更大规格的并且至少在陶瓷层的一个表面上、但优选在陶瓷层的两个表面上具有单个敷镀金属的金属陶瓷基底，陶瓷层中的预定折断线布置在所述单个敷镀金属之间，使得该大面积金属陶瓷基底通过沿该预定折断线的折断可以被分成单个基底，所述单个基底分别构成电路或模块的组成部分或者说印刷电路板。
技术实现思路
本专利技术的目的在于阐述一种封装，该封装能够实现大面积的、被制造为可多次使用的金属陶瓷基底的更加安全的运输以及更加安全的存放。为了解决上述目的，设计了一种根据权利要求I的封装。权利要求8则对用于封装所述金属材料基底的方法予以了说明。在本专利技术的改进方案中，这样来设计所述封装，使得托盘的边缘被构造为围绕周边的、向着托盘底面呈开口的U型件；和/或至少一个在托盘中被构造为用于放置至少一个金属陶瓷基底且适于所述金属陶瓷基底的规格的容纳部具有角留空；和/或在从周围界定所述至少一个容纳部的壁面上构成伸进所述容纳部的凸起，该凸起为所述至少一个金属陶瓷基底构成接触面，并且限定出该容纳部用于放置该基底的子空间；和/或所述从周围界定所述至少一个容纳部的壁面至少在子区域处、例如在凸起处相对 于所述至少一个容纳部的底部的平面倾斜，即该子区域内的壁面因此在封装未封闭的情况下围成略大于90°的角、例如在90°至95°之间；和/或所述托盘一体式地通过扁材、优选塑料扁材、例如热塑性塑料扁材深冲制成；和/或所述托盘的材料、优选为了深冲所使用的材料所具有的材料厚度在O. 3mm至4_之间、优选具有Imm的材料厚度；和/或在封装被封闭的情况下，将具有至少一个金属陶瓷基底的至少一个托盘放置在真空密封且被抽真空的附加封装中的至少一个容纳部内，也就是说，优选这样来进行放置，使得由外部的环境压力和大气压在边缘处所产生的力将所述至少一个金属陶瓷基底通过周围的夹紧而固定在容纳部内；和/或附加封装或包封由一种优选由可焊接的扁材材料、例如由可焊接的薄膜制成的袋子或气囊构成；和/或封闭的包封或附加封装的内部被填充保护气体、优选氮气，确切地说优选具有小于环境压力或者大气压的压力；和/或构成包封或附加封装的薄膜设有抗液体渗透和/或抗氧气渗透的阻挡；其中，所述封装的上述特点可分别单独以及以任意组合的形式得以应用。本专利技术的改进、优点和应用方法由实施例的下述说明内容以及附图中得出。其中，无论是其在权利要求中的摘要还是相关援引，所描述和/或附图所示的全部特点——以单个独立的形式或者以任意组合的形式——均属于本专利技术的范畴。权利要求书的内容也是本说明书的组成部分。附图说明下面借助实施例相关的附图进一步阐述本专利技术。其中图I以由上往下的透视图示出了根据本专利技术的封装的托盘；图2以俯视图示出了图I的托盘；图3示出了图I的托盘沿着图2的A-A线的剖面图；图4示出了图I的托盘的侧面图或者说正面图；图5为托盘堆叠的侧面图；图6为多用金属陶瓷基底的俯视图的简图；图7简化且放大地示出了图I至图6的封装在容纳部的角部位的部分剖面图；图8以由上往下的透视图示出了根据本专利技术的封装的另一种实施方式中的托盘；图9为图8的托盘的俯视图10示出了图8的托盘沿着图9的A-A切线的剖面图；图11为图8的托盘的侧面图或者说正面图。具体实施例方式在图中普遍用I标示的托盘(附加封装或封装载体)是封装2、尤其是用于多个分别被制造为多用式的大规格金属陶瓷基底3的运输封装和存放封装的重要组成部分。如图6所示，所述封装如专业人员所公知的那样分别基本由大面积陶瓷基底或者由大面积陶瓷层4构成，所述陶瓷层在其顶面和底面例如通过DCB压焊设有铜层形式的敷镀金属5。这样构造所述敷镀金属5，使得其分别构成了多个结构化的区域5. 1，确切地说，使顶面上每个结构化的区域5. I均与底面上相同大小的结构区域直接对置。顶面上结构化的区域5. I就各自构成了导体电路和/或接触面等，底面上结构化的区域5. I则例如分别被构造为不再进一步结构化的金属面。在所述结构化的区域5. I之间例如通过激光处理向陶瓷层4引入预定折断线6，所述金属陶瓷基底3优选在各个结构化的区域5. I安装上电气元件后可在该预定折断线处通过折断而被分成单个基底或者说被分成单个的电路或电气模块。然而，所述大面积金属陶瓷基底3也会由于该预定折断线6而变得非常易折断。下面会详细说明的封装2的设计就尤其考虑到这一问题。所述托盘I由例如材料厚度约为O. 3mm至4mm、优选厚度约为Imm的热塑性塑料材质的薄膜或者热塑性扁材通过深冲制成，确切地说，这样来进行制造，使得所述托盘I构成容纳口或者容纳部7，该容纳部在托盘I的顶面上是打开的，在其他面则通过底部8以及通过环绕的边缘9闭合。PET (聚对苯二酸类)例如就适于作为用于制造所述托盘I的材料。所述容纳部7与所述金属陶瓷基底3在俯视图中矩形的构造相适合，其中，这样来选择所述容纳部7的深度，使得该容纳部有足够的空间容纳多个、例如总共15个至20个相互堆叠的金属陶瓷基底3。此外，这样来选择所述容纳部7的形状，使得所述金属陶瓷基底3以微小的游隙这样被收纳进容纳部7中，从而能够在打开封装2时可以便利地将金属陶瓷基底放入该容纳部7或者从该容纳口取出。所述底部8被构造为具有多个接片状的凸起10，所述凸起由构成了托盘I的扁材成型并且在底部8的平面上向容纳部7突起。通过大部分以其纵向延伸在轴向上斜向于所述托盘I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·布罗伊蒂加姆，E·恩斯特贝格尔，H·施魏格尔，J·舒尔策哈德，
申请(专利权)人：库拉米克电子学有限公司，
类型：
国别省市：