【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】用于制备DCB-基材的方法，所述DCB-基材各自具有至少一个基本上由氮化铝(AlN)组成的陶瓷层，所述陶瓷层在至少一个表面侧上具有基本上由氧化铝组成的中间层，并且在中间层上具有至少一个由金属层或金属箔所形成的金属化物。【专利说明】用于制备DCB-基材的方法 本专利技术涉及根据权利要求1的前序部分的用于制备特别是以电路和/或模块的印 刷电路板的形式的DCB-基材的方法。这种方法是已知的。 已知所谓的"DCB-方法"（直接铜压接技术），所述方法例如通过使用金属板或 金属箔，特别是由铜或铜合金组成的金属板或金属箔，从而使金属层或金属板（例如铜板 或铜箔）彼此连接和/或与陶瓷或陶瓷层连接，所述金属板或金属箔在其表面侧上具有由 金属和反应性气体（优选氧气）的化合物组成的层或涂层。在例如US-PS 37 44 120或 在DE-PS 23 19 854中描述的方法中，所述层或涂层连同相邻金属形成熔融温度低于金属 (例如铜）的熔融温度的共晶熔体（熔融层），因此可以通过在陶瓷上施加箔并且通过加热 所有层从而使其彼此连接，特别是通过基本上仅在熔融层或氧化物层的范围内熔融金...
【技术保护点】
用于制备DCB‑基材的方法，所述DCB‑基材各自设有至少一个基本上由氮化铝(AlN)组成的陶瓷层(2)，所述陶瓷层(2)在至少一个表面侧上，优选在两个表面侧上设有基本上由氧化铝(Al2O3)组成的中间层(3)，并且在各个中间层(3)上设有至少一个由金属层或金属箔形成的金属化物，其中通过浇铸和/或压延和/或压制由氮化铝和烧结助剂形成未加工箔(2.1)，并且通过烧结由所述未加工箔(2.1)制备原坯陶瓷层(2.2)，并且其中在陶瓷层(2)的至少一个表面侧上，优选在两个表面侧上形成中间层(3)，然后通过DCB‑压接使经预氧化的金属层或金属箔与所述中间层(3)连接，其特征在于，在陶瓷...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·舒尔兹哈德尔，K·施米德特，K·埃克塞尔，
申请(专利权)人：库拉米克电子学有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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