氮化铝基陶瓷覆铜板的制备方法技术

本发明专利技术属于覆铜板制造技术领域，具体涉及一种氮化铝基陶瓷覆铜板的制备方法。无氧紫铜箔前处理后，再放入熔融的硝酸钠中进行中温化学氧化处理；氮化铝基板前处理后，再经过高温氧化处理；对高温氧化后的氮化铝基板磁控溅射处理，通过将处理后的无氧紫铜箔预压成圆弧形，与氮化铝基板叠装在一起放置在链式键合炉内进行高温动态连续键合，键合后采用循序温差交替降温法处理，即得。本发明专利技术生产效率高、质量稳定、成本低，制备的氮化铝基陶瓷覆铜板具有空洞率低、热膨胀系数低、应力低、热导率高、剥离强度高、键合面积大的特点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术属于覆铜板制造
，具体涉及一种。无氧紫铜箔前处理后，再放入熔融的硝酸钠中进行中温化学氧化处理；氮化铝基板前处理后，再经过高温氧化处理；对高温氧化后的氮化铝基板磁控溅射处理，通过将处理后的无氧紫铜箔预压成圆弧形，与氮化铝基板叠装在一起放置在链式键合炉内进行高温动态连续键合，键合后采用循序温差交替降温法处理，即得。本专利技术生产效率高、质量稳定、成本低，制备的氮化铝基陶瓷覆铜板具有空洞率低、热膨胀系数低、应力低、热导率高、剥离强度高、键合面积大的特点。【专利说明】
本专利技术属于覆铜板制造
，具体涉及一种。
技术介绍
随着高效、节能、节材、节电的高频电力电子器件、装置对传统、低效、耗电、费材的工频电力电子器件、装置的更新换代，目前电力电子市场需要大量的IGBT模块。由于IGBT芯片制造工艺复杂，需经十几次光刻工艺，因而不能制成单个大电流芯片，所以多芯片并联技术就成为IGBT模块向大电流容量发展的主要技术措施。这就需要一种像PCB板一样能蚀刻出各种图形结构的电路板来实现线路并联，同时要解决IGBT模块的散热和绝缘问题，来满足大电流、高绝缘性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化铝基陶瓷覆铜板的制备方法，其特征在于步骤如下：（1）无氧紫铜箔前处理后，再放入熔融的硝酸钠中进行中温化学氧化处理，在无氧紫铜箔的键合面形成一层均匀致密的Cu2O膜；（2）氮化铝基板前处理后，再经过高温氧化处理，在氮化铝基板的两面各形成一层均匀致密的Al2O3膜；（3）对高温氧化后的氮化铝基板磁控溅射处理，在两面各形成一层均匀致密的Cu2O膜；（4）通过将处理后的无氧紫铜箔预压成圆弧形，与氮化铝基板叠装在一起放置在链式键合炉内进行高温动态连续键合；（5）键合后采用循序温差交替降温法处理，即得。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李磊，王怀义，
申请(专利权)人：李磊，王怀义，
类型：发明
国别省市：