新型上电复位电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电路，尤其涉及一种新型上电复位电路。新型上电复位电路，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、M1管、M2管、M3管及若干电阻，三极管Q1的集电极通过电阻R1接电源，三极管Q1的基极连接三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极连接M1管的漏极，M1管的源极连接电源，M1管的栅极通过电阻R3连接电源，M1管的栅极同时连接三极管Q3的集电极，三极管Q3的集电极同时连接M2管和M3管的栅极，M2管的源极接电源，M2管的漏极连接M3管的漏极输出上电复位信号，M3管的源极、三极管Q3的发射极、三极管Q3的基极、三极管Q2的发射极、三极管Q1的发射极接地。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路，尤其涉及一种新型上电复位电路。
技术介绍
随着芯片集成度的不断提高，在片上系统设计中，单个芯片上集成的功能模块越来越多。上电复位电路时不可缺少的组成部分。上电复位电路提供给一个芯片内部的复位信号，在整个系统复位阶段，包装整个系统能够正确启动。传统的上电复位电路是利用RC充放电之路迟滞反相器进行上电复位信号的产生，该电路在电源电压稳定后，静态功耗为零。但是为了获得较理想的上电复位信号，通常情况下，电阻和电容的取值较大，不利于集成。
技术实现思路
本技术的目的就是提供一种结构简单的、可靠性高的上电复位电路。本技术提供的技术方案是新型上电复位电路，包括三极管Ql、三极管Q2、三极管Q3、Ml管、M2管、M3管及若干电阻，三极管Ql的集电极通过电阻Rl接电源，三极管Ql的基极连接三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极连接Ml管的漏极，Ml管的源极连接电源，Ml管的栅极通过电阻R3连接电源，Ml管的栅极同时连接三极管Q3的集电极，三极管Q3的集电极同时连接M2管和M3管的栅极，M2管的源极接电源，M2管的漏极连接M3管的漏极输出上电复位信号，M3管的源极、三极管Q3的发射极、三极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
新型上电复位电路，其特征在于，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、M1管、M2管、M3管及若干电阻，三极管Q1的集电极通过电阻R1接电源，三极管Q1的基极连接三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极连接M1管的漏极，M1管的源极连接电源，M1管的栅极通过电阻R3连接电源，M1管的栅极同时连接三极管Q3的集电极，三极管Q3的集电极同时连接M2管和M3管的栅极，M2管的源极接电源，M2管的漏极连接M3管的漏极输出上电复位信号，M3管的源极、三极管Q3的发射极、三极管Q3的基极、三极管Q2的发射极、三极管Q1的发射极接地。

【技术特征摘要】
1.新型上电复位电路，其特征在于，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、M1管、M2管、M3管及若干电阻，三极管Ql的集电极通过电阻Rl接电源，三极管Ql的基极连接三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极连接Ml管的漏极，Ml管的源极连接电源，Ml管的栅极通过电阻R3连接电源，Ml管的栅极同时连接三极管Q3的集电极，三极管Q3的集电极同时连接M2管和M3管的栅极，M2管的源极接电源，M2管的漏极连接M3管的漏极输...

【专利技术属性】
技术研发人员：代玲玲，
申请(专利权)人：代玲玲，
类型：实用新型
国别省市：