基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构，包括硅载体、LED芯片和散热基板，其特征在于：所述的硅载体设有导电通道和导热通道，导电通道与安置于硅载体上的LED芯片连接，导电通道与设置在硅载体下端的散热基板连接；导热通道作为LED芯片的散热通道与散热基板连接；所述的散热通道与导电通道互不干涉。本实用新型专利技术降低了封装成本，可实现大批量生产、减少封装体积、节省材料，使电子产品更加小型化；提高电气性能和热可靠性能；提高发光效率，通过通孔及凹槽的工艺制作，可减少光的散射，提高光通量，通过预留出荧光粉涂覆层的位置实现荧光粉配量可控性和操作的方便，提高生产效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及大功率LED制造工艺，尤其是一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构。
技术介绍
大功率发光二极管(Light Emitting Diodes，LED)因具有高光效、低能耗、长寿命等优点而被认为是21世纪最有价值的新光源，并将取代传统光源成为第四代照明市场的主导。然而，目前大功率LED逐步取代传统照明光源面临的主要问题有两个一是LED器件的制造成本远高于传统光源的制造成本；二是LED器件由热引起的光衰等可靠性问题较为严重。美国 NIST (National Institute of Standards and Technology, NIST)在创新计划白皮书中提到，3-D TSV (Through Silicon Via, TSV)在封装尺寸、重量、功耗与多功能集成等方面的诸多优势将为半导体技术带来新的发展方向。基于娃通孔技术(ThroughSilicon Via, TSV)的晶圆级(Wafer LevelPackaging, WLP)LED封装结构是大功率LED封装的发展趋势，由于工艺技术的发展和市场的需求，要求LED产品具有更低成本、更高发光效率及可靠性等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构，包括硅载体、LED芯片和散热基板，其特征在于：所述的硅载体设有导电通道和导热通道，导电通道与安置于硅载体上的LED芯片连接，导电通道与设置在硅载体下端的散热基板连接；导热通道作为LED芯片的散热通道与散热基板连接；所述的散热通道与导电通道互不干涉。

【技术特征摘要】
1.一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构，包括硅载体、LED芯片和散热基板，其特征在于所述的硅载体设有导电通道和导热通道，导电通道与安置于硅载体上的LED芯片连接，导电通道与设置在硅载体下端的散热基板连接；导热通道作为LED芯片的散热通道与散热基板连接；所述的散热通道与导电通道互不干涉。2.根据权利要求I所述的基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘开林，朱玮涛，任国涛，黄静，黄鹏，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：实用新型
国别省市：