【技术实现步骤摘要】
本技术涉及镀膜领域，尤其涉及一种真空环境下的离子溅射镀膜装置。
技术介绍
真空磁控溅射镀膜是溅射镀膜领域广泛使用的一种沉积装置，这类装置其原理是在真空二级溅射基础上，通过在靶材背面引入磁极，来改变靶材表面的磁场分布，以此来提高真空室内等离子体的离化效率，从而提高靶材的溅射效率。由于靶材背面磁力线分布固有的不均匀性，导致等离子体的离化效率局部强化，使得靶材表面溅射也呈现不均匀，在离化效率高的区域，溅射效率高，靶材消耗快，在离化效率低的区域，溅射效率低，靶材消耗慢，这种溅射不均匀性导致靶材利用率很低，也就是靶材消耗快的地方一旦溅射到底部，整个靶材就无法再使用。通常靶材利用率只有一般在30%左右。同时，这种溅射不均匀性还很容易导致在磁控反应溅射中出现靶中毒现象，使得反应气体覆盖于靶表面形成介电层，导致拉弧放电的现象频繁发生。现有技术采用脉冲直流电源来控制放电时间以抑制靶面拉·弧，但未从根本上解决该问题，尤其是在Si靶和Al靶的反应溅射中即使采用脉冲直流电源，还是会经常发生拉弧现象。进一步整个靶面不均匀的刻蚀速率导致沉积速率会发生漂移，在反应溅射中尤为严重，导致反应溅射...
【技术保护点】
一种离子溅射镀膜装置，其特征在于，包括真空镀膜室及位于所述真空镀膜室一侧的用于发射溅射离子束的等离子发射装置，所述真空镀膜室的内空间容置有的位于真空镀膜室顶部的基板、位于真空镀膜室底部的托盘、位于所述托盘上的靶材及位于托盘一侧的辅助离子发射装置，所述辅助离子发射装置的发射端口正对于基板板面，所述等离子发射装置的端口与真空镀膜的内空间相连通，且等离子发射装置的端口绕有发射电磁线圈。
【技术特征摘要】
1.一种离子溅射镀膜装置，其特征在于，包括真空镀膜室及位于所述真空镀膜室一侧的用于发射溅射离子束的等离子发射装置，所述真空镀膜室的内空间容置有的位于真空镀膜室顶部的基板、位于真空镀膜室底部的托盘、位于所述托盘上的靶材及位于托盘一侧的辅助离子发射装置，所述辅助离子发射装置的发射端口正对于基板板面，所述等离子发射装置的端口与真空镀膜的内空间相连通，且等离子发射装置的端口绕有发射电磁线圈。2.根据权利要求I所述的离子溅射镀膜装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：卜轶坤，关振奋，张慎兴，吴冠伟，刘森山，
申请(专利权)人：晋谱福建光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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