【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能芯片的抗反射层的检测方法及检测装置，可快速完成太阳能芯片上的抗反射层厚度的测量。
技术介绍
随着地球资源的匮乏及环保议题的抬台，世界各国逐渐察觉到发展新替代能源的急迫性，其中太阳能发电便是最被看好的一项技术。太阳能芯片电池依工艺的不同，大概可被区分为硅晶太阳能电池及薄膜太阳能电池，目前硅晶太阳能电池的市占率约为80%以上。请参阅图1，为现有太阳能芯片的构造示意图。如图所示，太阳能芯片10主要包括有一 N型半导体材料U、一 P型半导体材料13及一抗反射层15，其中N型半导体材料11及P型半导体材料13以层叠方式设置，而抗反射层15则设置在N型半导体材料11表面。在应用时太阳光可穿透抗反射层15并投射在N型半导体材料11及/或P型半导体材料13上，借由抗反射层15的设置将可以让更多的光源进入半导体材料11/13，并有利于提高太阳能芯片10产生电能的效率。当光源照射在太阳芯片10时，太阳能芯片10内带负电的电子将会往N型半导体材料11的表面移动，并可以设置在N型半导体材料11上的导电线17将其导出，而太阳能芯片10内带正电的电洞则会往P型半导...
【技术保护点】
一种太阳能芯片的抗反射层厚度的检测方法，其特征在于，包括有以下步骤：对一太阳能芯片进行影像撷取，并产生一影像数据，其中该太阳能芯片表面设置有一抗反射层；将该影像数据区分成多个影像单元，并取得该影像单元的色度；及由该影像单元的色度推算出该抗反射层的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能芯片的抗反射层厚度的检测方法，其特征在于，包括有以下步骤对一太阳能芯片进行影像撷取，并产生一影像数据，其中该太阳能芯片表面设置有一抗反射层；将该影像数据区分成多个影像单元，并取得该影像单元的色度 '及由该影像单元的色度推算出该抗反射层的厚度。2.根据权利要求I所述的太阳能芯片的抗反射层厚度的检测方法，其特征在于，该影像数据由多像素所组成，且该影像单元包括有至少一像素。3.根据权利要求I所述的太阳能芯片的抗反射层厚度的检测方法，其特征在于，包括有以下步骤取得该影像单元的RGB数值；将该影像单元的RGB数值转换到HSV的色彩空间。4.根据权利要求I所述的太阳能芯片的抗反射层厚度的检测方法，其特征在于，该抗反射层的厚度与该影像单元的色度为呈二次方反比的关系。5.根据权利要求I所述的太阳能芯片的抗反射层厚度的检测方法，其特征在于，该抗反射层为氮化娃。6.一种太阳能芯片的抗反射层厚度的检测装置，其特征在于，包括有一摄像单元，用以对一太阳能芯片进行影像撷取，并产生一影像数据，其中该太阳能芯片表面设置有一抗反射层；及一运算单元，由该摄像单元接收该影像数据，并将该影像数据区分成多个影像单元，并取得该影像单...
【专利技术属性】
技术研发人员：王琼姿，
申请(专利权)人：立晔科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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