晶片或晶圆检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术有关于一种晶片或晶圆检测装置，主要包括一输送单元、一图像撷取单元及至少一反射单元，其中输送单元包括一待测区，并可用以进行晶片或晶圆的输送。反射单元位于输送单元的待测区的周围，透过反射单元的设置，图像撷取单元将可同时对待测区的晶片或晶圆的表面及侧面进行图像撷取，并有利于提高晶片或晶圆检测的效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术有关于一种晶片或晶圆检测装置，使得图像撷取单元可同时对待测晶片或晶圆的表面及侧面进行图像撷取。技术背景在晶片或晶圆制造的过程中，往往会伴随有缺陷或污点的产生，且晶片或晶圆上的缺陷或污点往往会对后续产品的成品率造成影响。因此在完成晶片或晶圆的制作后，通常会进一步对晶片或晶圆进行检测，以确定晶片或晶圆符合相关的要求。请参阅第I图，为常用晶片检测装置的构造示意图。如图所示，常用的晶片检测装置10主要包括一承载座11及一图像撷取单元13，其中承载座11可用以承载一待测的晶片12，并以图像撷取单元13对承载座11上的待测晶片12的上表面121进行图像撷取。图像撷取单元13可为感光耦合元件(CXD)，可将晶片12的图像储存成为一数字图像资料，并可进一步对图像撷取单元13所撷取的数字图像资料进行分析及比对。在实际应用时可将撷取晶片12的数字图像资料与目标晶片图像资料进行比对，并得知待测晶片12与目标晶片之间的尺寸差异，借以得知待测晶片12是否符合产品要求。除此之外，也可进一步对撷取晶片12的数字图像资料进行其他的检测，例如可由晶片12的数字图像资料得知待测晶片12上是否有污点的存在，借以判断待测晶片12的品质。然而以上述的晶片检测装置10对晶片12进行检测还是存在有部分的缺失，使得晶片12检测的结果无法符合使用者的要求。
技术实现思路
本技术目的，在于提供一种晶片或晶圆检测装置，主要于待测区的周围设置有至少一反射单元，使得图像撷取单元在撷取晶片或晶圆的表面图像的同时，也可透过反射单元撷取晶片或晶圆的侧面的图像，借此将有利于提高晶片或晶圆检测的准确性。本技术的又一目的，在于提供一种晶片或晶圆检测装置，透过至少一反射单元的设置，将可在不增加额外的检测步骤的前提之下，对晶片或晶圆的表面及侧面进行检测，借以提高晶片或晶圆的检测的效率。本技术的又一目的，在于提供一种晶片或晶圆检测装置，主要于待测区的周围设置有至少一发光单元，可用以将光源投射在待测区内的晶片或晶圆的侧面，借此将更有利于以图像撷取单元撷取晶片或晶圆的侧面的图像。本技术的又一目的，在于提供一种晶片或晶圆检测装置，主要将至少一反射单元设置于输送单元的周围，借此将可在输送晶片或晶圆的过程当中，对晶片或晶圆的表面及侧面进行检测。为达上述目的，本技术提供一种晶片或晶圆检测装置，包括一输送单元，用以进行至少一晶片或至少一晶圆的输送，且输送单元包括一检测区；一图像撷取单元，位于输送单元的上方，并用以对位于检测区内的晶片或晶圆的表面进行图像撷取；及至少一反射单元，位于输送单元的周围，其中图像撷取单元透过反射单元撷取晶片或晶圆的侧面的图像。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，包括至少一发光单元用以将光源投射在晶片或晶圆的侧面。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中发光单元位于输送单元的检测区的周围。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中发光单元的数量与反射单元的数量相同。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆的外观为任意的几何形状，而反射单元则形成与晶片或晶圆的形状相似的环状构造。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆的外观近似圆形，而反射单元则为圆形的环状构造。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆包括多个侧面，且反射单元的数量与晶片或晶圆的侧面的数量相同。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中反射单元位于输送单元的检测区的周围。为达上述目的，本技术还提供另一种晶片或晶圆检测装置，包括一承载座，用以承载至少一晶片或至少一晶圆；一图像撷取单元，位于承载座的上方，并用以对晶片或晶圆的表面进行图像撷取；及至少一反射单元，位于承载座的周围，其中图像撷取单元透过反射单元撷取晶片或晶圆的侧面的图像。 上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，包括至少一发光单元用以将光源投射在晶片或晶圆的侧面。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中发光单元位于输送单元的检测区的周围。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中发光单元的数量与反射单元的数量相同。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆的外观为任意的几何形状，而反射单元则形成与晶片或晶圆的形状相似的环状构造。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆的外观近似圆形，而反射单元则为圆形的环状构造。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中晶片或晶圆包括多个侧面，且反射单元的数量与晶片或晶圆的侧面的数量相同。上述晶片或晶圆检测装置的一实施例，其中反射单元位于输送单元的检测区的周围。本技术的晶片或晶圆检测装置可提高晶片或晶圆检测的准确性、检测效率，并可在输送晶片或晶圆的过程当中，对晶片或晶圆的表面及侧面进行检测。附图说明图I :为常用晶片检测装置的构造示意图；图2 :为本技术晶片或晶圆检测装置一实施例的构造示意图；图3 :为本技术晶片或晶圆检测装置一实施例的侧面示意图；图4 :为本技术晶片或晶圆检测装置又一实施例的构造示意图；图5 :为本技术晶片或晶圆检测装置又一实施例的构造示意图。其中，附图标记10 晶片检测装直11 承载座12 晶片121 上表面13 图像撷取单元20 晶片或晶圆检测装置 21 承载座211 检测区22 晶片或晶圆221 表面223 侧面23 图像撷取单元25 反射单元30 晶片或晶圆检测装置 31 输送单元311 检测区40 晶片或晶圆检测装置 47 发光单元具体实施方式请参阅第2图，为本技术晶片或晶圆检测装置一实施例的构造示意图。如图所示，晶片或晶圆检测装置20主要包括一承载座21、一图像撷取单元23及至少一反射单元25，其中承载座21可用以承载至少一晶片或至少一晶圆22，并以图像撷取单元23对待测的晶片或晶圆22进行撷取图像。承载座21的部分区域可被定义成为一检测区211，而图像撷取单元23则被设置在承载座21的上方，以利于撷取待测的晶片或晶圆22的图像，其中本技术所述的图像撷取单元23可为电荷稱合元件(Charge-coupled Device, CCD)或者是互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)。在本技术一较佳实施例中，图像撷取单元23位于承载座21的检测区211上方，并用以对放置在承载座21的检测区211内的待测晶片或晶圆22进行图像撷取，例如对晶片或晶圆22的表面(上表面或下表面)221进行图像的撷取，并形成一晶片或晶圆22的数字图像资料。此外，也可进一步对待测晶片或晶圆22的表面221的数字图像资料进行分析及比对，以得知待测晶片或晶圆22的表面221的品质。例如可将晶片或晶圆22的数字图像资料与目标晶片或晶圆的图像资料进行比对，以得知待测晶片或晶圆22与目标晶片或晶圆之间的尺寸差异，借以得知待测晶片或晶圆22是否符合产品要求，当然也可由数字图像资料，得知晶片或晶圆22表面是否有污点或结构上的缺陷。承载座21的周围设置有一个或多个反射单元25，例如可将反射单元25设置在承载座21的检测区211的周围。当待测晶片或晶圆22位于检测区211时，图像撷取单元23将可以透过反射单元25对晶片或晶圆22的侧面(侧表面)223进行图像的撷取本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片或晶圆检测装置，其特征在于，包括 一输送单元，用以进行至少一晶片或至少一晶圆的输送，且该输送单元包括一检测区； 一图像撷取单元，位于该输送单元的上方，并用以对位于该检测区内的晶片或晶圆的表面进行图像撷取 '及 至少一反射单元，位于该输送单元的周围，其中该图像撷取单元透过该反射单元撷取该晶片或晶圆的侧面的图像。2.根据权利要求I所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，包括至少一发光单元用以将光源投射在该晶片或该晶圆的侧面。3.根据权利要求2所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该发光单元位于该输送单元的检测区的周围。4.根据权利要求2所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该发光单元的数量与该反射单元的数量相同。5.根据权利要求I所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该晶片或该晶圆的外观为任意的几何形状，而该反射单元则形成与该晶片或该晶圆的形状相似的环状构造。6.根据权利要求5所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该晶片或晶圆的外观近似圆形，而该反射单元则为圆形的环状构造。7.根据权利要求I所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该晶片或该晶圆包括多个侧面，且该反射单元的数量与该晶片或该晶圆的侧面的数量相同。8.根据权利要求I所述的晶片或晶圆检测装置，其特征在于，其中该反射单元位于该输...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈英诚，林亭宏，陈义芳，吴政君，洪肇佑，杨宗翰，
申请(专利权)人：立晔科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：