用于检测等离子体处理系统中等离子体约束状态的方法及装置制造方法及图纸

公开了用于检测在电容耦合RF驱动的等离子体处理腔室内的等离子体约束状态的变化的方法和系统。在一个或多个实施方案中，等离子体无约束检测方法采用了模拟电路或数字电路，模拟电路或数字电路能够主动轮询具有静电卡盘（ESC）形式的功率馈送电极处的RF电压以及负责将晶片卡接到ESC的电源（PSU）的开环响应。电路提供了检测传送至ESC的RF电压的变化以及PSU的开环响应的变化的器件。通过同时监测这些电信号，所公开的算法能够检测等离子体从约束状态变为无约束状态的时间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于检测等离子体处理系统中等离子体约束状态的方法及装置
技术介绍
在制造半导体产品时，通过对各层进行连续沉积、蚀刻和抛光来处理衬底(例如， 半导体晶片)，从而制成半导体器件。在半导体行业内，常规手段是利用RF (射频)驱动等离子体的益处来从衬底干燥蚀刻材料。在等离子体蚀刻处理期间，最重要的是控制等离子体的稳定性和均匀性从而提高处理中的衬底的处理效率和产量。这能够通过各种方法来实现，其中一种方法是通过利用等离子体腔室内的机电元件将等离子体约束到相关的处理区域来控制等离子体形成。这些布置在本领域是公知的，在此处不再进一步详细阐述。尽管等离子体约束是很好理解的手段，还是需要检测受约束等离子体在处理腔室内变为无约束状态的时间。无约束等离子体会导致颗粒污染和等离子体非均匀性，导致处理中的衬底产量的降级和/或等离子体处理系统的损坏。当前用于检测等离子体约束变化的方法采用碳化硅插脚，碳化硅插脚与静电卡盘(ESC)的外圈联接且与等离子体直接接触。 于1998年4月7日公布的美国专利第5，737，177号公开了一种这样的方法。尽管这种器械提供了一种通过提供等离子体鞘层电位的DC测量来检测等离子体约束变化的相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·C·小瓦尔科，詹姆斯·罗格斯，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：