【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
在制造半导体器件时,对半导体晶片依次反复进行各种薄膜的成膜处理、改质处理、氧化扩散处理、退火处理、蚀刻处理等,由此在半导体晶片上制作由多层膜组成的半导体器件。作为这样的制造半导体器件的制造装置有被称作集群工具(Cluster Tool)的基板处理装置。在该基板处理装置中,将用于进行各种处理的多个单晶片制程(Single wafer)处理室与一个运送室连接起来,在各个处理室内依次进行对半导体晶片的处理,由此能够在一个基板处理装置中进行各种处理。在这样的基板处理装置中,在处理室之间的半导体晶片的移动是通过设置在运送室的运送臂的伸缩动作以及旋转动作等来进行的。通常,该运送臂具有静电吸盘(Electrostatic Chuck),半导体晶片被运送臂的静电吸盘吸附而被运送。在先技术文献专利文献专利文献I :日本专利文献特开2002-280438号公报;专利文献2 :日本专利文献特开2004-119635号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是,当半导体晶片在处理室之间等移动时,通过向静电吸盘的电极施加电压来使半导体晶片成为被运送臂上的静电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:石沢繁,近藤昌树,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:
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