膜厚测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种膜厚测量装置(100)，该膜厚测量装置(100)具备:光源(10)、第一光路、第一聚光透镜、分光测量部(40)、第二光路、第二聚光透镜、以及数据处理部(50)。光源照射具有规定的波长范围的测量光。第一光路将从光源(10)照射的测量光引导到被测量物。第一聚光透镜将从第一光路射出的测量光汇聚到被测量物。分光测量部(40)获取反射率或者透射率的波长分布特性。第二光路将由被测量物反射的光或者透过被测量物的光引导到分光测量部。第二聚光透镜聚光到第二光路的端部。数据处理部(50)通过分析由分光测量部(40)获取的波长分布特性来求出被测量物的膜厚。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种膜厚測量装置，特别是涉及对在基板上至少形成一层膜的被測量物的膜厚进行测量的结构。
技术介绍
近年来，为了实现 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor :互补金属氧化物半导体)电路等的低功耗化、高速化，关注了称为SOI (Silicon on Insulator :绝缘体上硅)的基板结构。该S 01基板在两个Si (硅)基板之间配置了 SiO2等的绝缘层(BOX层)，能够降低在形成于ー个Si层的PN结与另ー个Si层(基板)之间产生的寄生ニ极管、杂散电容等。作为这种SOI基板的制造方法，已知如下方法在硅晶片的表面形成氧化膜的基础上，以夹着该氧化膜的方式粘贴其它硅晶片，而且对形成电路元件侧的硅晶片进行研磨而设为规定的厚度。为了这样通过研磨エ序控制硅晶片的厚度而需要连续地监视膜厚。作为这种研磨エ序中的膜厚的測量装置以及测量方法，日本特开2009-270939号公报(专利文献I)、日本特开平05-306910号公报(专利文献2)以及日本特开平05-308096号公报(专利文献3)公开了使用傅立叶变换红外分光光度计(FTIR本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜厚测量装置，其具备：光源(10)，其向在基板上至少形成一层膜而得到的被测量物照射具有规定的波长范围的测量光；至少一个第一光路，其将从上述光源(10)照射的上述测量光引导到上述被测量物；第一聚光透镜(31)，其将从上述第一光路射出的上述测量光聚光到上述被测量物；分光测量部(40)，其根据由上述第一聚光透镜聚光的上述测量光中的由上述被测量物反射的光或者透过上述被测量物的光来获取反射率或者透射率的波长分布特性；至少一个第二光路，其将由上述被测量物反射的光或者透过上述被测量物的光引导到上述分光测量部(40)；第二聚光透镜，其将由上述被测量物反射的光或者透过上述被测量物的光聚光到上述第二光路的端部...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：藤森匡嘉，
申请(专利权)人：大塚电子株式会社，
类型：发明
国别省市：