【技术实现步骤摘要】
本技术涉及本技术涉及半导体元器件领域，特别是在绝缘T0220AB功率器件，具体是指一种基于铝散热片的绝缘T0220AB功率器件。
技术介绍
半导体功率器件在我们的实际生活中应用非常广泛，目前T0220大功率器件主要分为T0220AB和T0220F两种封装形式。T0220AB封装形式特点是能够良好散热但不有效绝 缘，整机用户在使用时需要加绝缘片才能够锁在散热片上；T0220F封装特点是能够绝缘但不能充分散热，这2种封装对器件的使用领域和可靠性做了一些限制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基于铝散热片的绝缘T0220AB功率器件，具备绝缘和快速的导热性能，优化结构形成可以替代
技术介绍
中所述的T0220AB和T0220F两种封装形式的功率器件。本技术的实现方案如下一种基于铝散热片的绝缘T0220AB功率器件，包括独立而设的功率器件，所述功率器件包括载片，载片上表面通过焊锡层焊接有芯片，芯片通过焊线连接有引脚，所述载片的下方设置有散热片，所述载片和散热片之间存在间隙，且该间隙内填充有塑封料填充层，其载片和散热片之间的间隙距离为O. 3mm-0. 8mm之间。还包括塑封体...
【技术保护点】
一种基于铝散热片的绝缘TO220AB功率器件，包括独立而设的功率器件，所述功率器件包括载片（3），载片（3）上表面通过焊锡层（6）焊接有芯片（7），芯片通过焊线（5）连接有引脚（2），其特征是：所述载片（3）的下方设置有散热片（8），所述载片和散热片（8）之间存在间隙，且该间隙内填充有塑封料填充层（4），其载片和散热片（8）之间的间隙距离为0.3mm？0.8mm之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李科，蔡少峰，
申请(专利权)人：四川立泰电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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