转印基板和制造显示设备的方法技术

一种转印基板，包括用于热转印的支撑基板和转印层。转印层设置在支撑基板上，包括主体材料和发光掺杂物材料，主体材料和发光掺杂物材料都具有升华温度。升华温度之差被设置在预定范围内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体地说，本专利技术涉及用于制造使用有机发光二极管的显示设备的转印基板，和利用所述转印基板制造显示设备的方法。
技术介绍
随着基板的扩大，在通过在基板上排列多个OLED (有机发光二极管)而形成的显示设备的制造中，研究了向发光层增添不同颜色的热转印方法的应用。作为热转印方法，公知的是通过利用加热器等直接加热，实现转印的方法，和通过把激光束变换成热，实现转印的方法。在任何一种加热方法中，使用通过用真空沉积在支撑基板上形成由发光材料制成的转印层，或者通过在支撑基板上涂覆由发光材料制成的转印层而获得的转印基板。在利用这种转印基板的热转印中，在转印基板面对设备基板的情况下，通过用加热器或者来自转印基板一侧的激光照射进行加热，转印层被热转印到设备基板一侧，从而形成发光层。在通过应用如上所述的热转印方法，形成包含主体材料和客体材料的多个成分的发光层的情况下，使用包括由其种类和掺合比被优化的主体材料和客体材料构成的热转印层的转印基板。但是，与其中用真空沉积形成包含多个成分的发光层的OLED相比，其中用热转印方法形成包含多个成分的发光层的OLED往往发光性质较差。在这方面，提出把氧浓度或水浓度控制为较低水平，和转印过程、转印之前的输送过程、粘合设备等中的气氛被改变成惰性气氛的情况中一样(日本专利申请特许公开 No.2003-332062 和 2004-79317)。
技术实现思路
但是，尽管采取了如上所述的气氛控制，不过，取决于使用的主体材料和掺杂物材料的组合或者发光颜色，用气相沉积和热转印形成的OLED的发光性质(luminescentproperty)是不同的。另外，即使当使用相同的转印方法时，取决于转印层的加热方法，获得的OLED的发光性质也彼此不同。为此，存在即使在使用当应用气相沉积时其发光性质不是最佳的主体材料和掺杂物材料的发光层中，当应用热转印时，发光性质也可能变成最佳，并且反之亦然的情况。鉴于如上所述的情况，需要一种即使在用热转印形成发光层的情况下，也能够获得具有稳定发光性质的有机发光二极管的转印基板，和制造显示设备的方法。按照本专利技术的一个实施例，提供一种转印基板，包括用于热转印的支撑基板，和设置在支撑基板上的转印层。特别地，所述转印层包括主体材料和发光掺杂物材料，这些材料的升华温度之差被设置在预定范围内。此外，按照本专利技术的另一个实施例，提供一种使用如上所述的转印基板的转印方法。在该转印方法中，通过加热在转印基板上形成的转印层，均匀地升华主体材料和掺杂物材料，通过把包括主 体材料和掺杂物材料的转印层热转印到设备基板上，形成发光层。按照本专利技术的实施例，构成转印层的主体材料和发光掺杂物材料的升华温度之差被设置在预定范围内。于是，在利用转印基板的热转印中，主体材料和发光掺杂物材料几乎同时被升华。因此，通过热转印形成其中主体材料和掺杂物材料沿深度方向均匀分布的发光层。从而，按照本专利技术的实施例，即使在用热转印形成发光层的情况下，也能够获得具有稳定发光性质的有机发光二极管，并且能够获得具有极好的显示性质的显示设备，如在后面说明的实施例中所示。根据在附图中图解说明的本专利技术的最佳实施例的下述详细说明，本专利技术的这些和其它目的、特征和优点将变得更明显。附图说明图I是表示按照本专利技术的一个实施例的转印基板的结构的断面图；图2是表示制造按照该实施例的显示设备的方法的过程断面图(部分I);图3是表示制造按照该实施例的显示设备的方法的过程断面图(部分2)；图4是表示按照该实施例的制造显示设备的方法的过程断面图(部分3)；图5是表示按照该实施例的液晶显示设备中的电路结构的例子的示图；图6是表示应用本专利技术的实施例的电视的透视图；图7是表不应用本专利技术的实施例的数字照相机的视图，其中图7A是正面透视图，图7B是背面透视图；图8是表示应用本专利技术的实施例的膝上型个人计算机的透视图；图9是表示应用本专利技术的实施例的摄像机的透视图；图10是表示应用本专利技术的实施例的移动终端设备，比如蜂窝电话机的视图，其中图IOA是打开状态下的前视图，图IOB是打开状态下的侧视图，图IOC是关闭状态下的前视图，图IOD是左视图，图IOE是右视图，图IOF是顶视图，图IOG是底视图；图11是基于表I的图表，表示在借助激光照射，热转印绿色发光层的情况下，升华温度之差和发光特性的比值之间的关系；图12是基于表2的图表，表示在通过用加热器加热，热转印绿色发光层的情况下，升华温度之差和发光特性的比值之间的关系；图13是基于表3的图表，表示在借助激光照射，热转印红色发光层的情况下，升华温度之差和发光特性的比值之间的关系；图14是基于表4的图表，表示在通过用加热器加热，热转印红色发光层的情况下，升华温度之差和发光特性的比值之间的关系。具体实施例方式下面，按照下述顺序说明本专利技术的一个实施例。I.按照实施例的转印基板的结构2.制造按照实施例的显示设备的方法3.显示设备的电路结构4.利用显不设备的电子设备的应用例子(I.转印基板的结构)图I是示意表示按照本专利技术的实施例的转印基板的断面图。当制造使用OLED的显示设备时，图I中所示的转印基板I被用于借助热转印方法，形成OLED (有机发光二极管)中的有机发光层。这种转印基板I指的是用于形成发出绿光的有机发光层的转印基板lg， 用于形成发出红光的有机发光层的转印基板Ir，和用于形成发出蓝光的有机发光层的转印基板lb。每个转印基板lg、li^P Ib具备在用于热转印的支撑基板3上的转印层5。通过把发热层3-2和保护层3-3按照所述顺序层叠在基板本体3-1上，形成支撑基板3，转印层5被设置在保护层3-3上。下面，从支撑基板3 —侧逐一详细说明各层。构成用于热转印的支撑基板3的基板本体3-1可由任意材料形成，只要该材料足够光滑，具有透光性并且能耐加热温度，基板本体3-1由玻璃基板、石英基板、半透明陶瓷基板等制成。另外，可以使用树脂基板，只要相对于加热温度，不存在尺寸可控性方面的问题即可。这里，例如使用厚度O. I 3. O毫米的玻璃基板作为基板本体3-1。假定发热层3-2由适合于热转印方法的热源的材料制成。例如，在使用激光束作为热转印方法的热源的情况下，发热层3-2最好具备其中光热转换层被层叠在抗反射层上的结构，即，其中从基板本体3-1 —侧顺序布置抗反射层和光热转换层的结构。在这些层中，抗反射层是有效地把从基板本体3-1 —侧施加的激光束hv限制在光热转换层中并由例如厚度40纳米的非晶硅制成的层。借助CVD把如上所述的抗反射层沉积在基板本体3-1上。对于光热转换层来说，最好使用对用作使用转印基板的热转印过程中的热源的能量线(例如，激光束)的波长范围来说，具有低反射率的材料。例如，在使用来自固态激光光源的波长约800纳米的激光束的情况下，最好使用铬(Cr)、钥(Mo)等具有低反射率和高熔点的材料。这里，使用由厚度40纳米的钥制成的光热转换层。通过溅射把这样的光热转换层沉积在抗反射层上。此外，在使用诸如加热器之类直接热源作为热转印方法的热源的情况下，发热层3-2由导热性极好的材料形成。应注意的是这种发热层3-2可具有和上面说明的光热转换层类似的结构。保护层3-3是防止构成发热层3-2的材料扩散的层。例如，材料的例子包括氮化硅(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种转印材料，包含：用于热转印的支撑材料；和设置在支撑材料上的转印层，所述转印层包括主体材料和发光掺杂物材料，所述主体材料和发光掺杂物材料都具有转印温度，转印温度之差被设置在预定范围内。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：上田贤司，肥后智之，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：