【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微波裂片
,具体涉及一种微波裂片设备。
技术介绍
一九八零年,IBM发展应用氧离子直接注入法(Separation by ImplantationOxygen, SIMOX)来发展制作SOI材料。该制程需要植入非常高剂量的氧离子(约5X 1018/cm2),虽然经过高温退火处理形成二氧化硅层,并以再洁净的方式先除大部分的缺陷,但仍然无法使因注入离子而造成的缺陷全部消除。到一九九二年,法国的一家一研究为导向的公司Commossariat A I’Energie Atomique使用一种薄膜转移的技术,名称为智切法(Smart Cut),能成功地将硅单晶的薄膜转移至另一个硅基板上。此制程首先将氢离子注入 于一片已生成氧化层的硅晶圆中,再与另一片硅晶圆进行键合。经高温退火处理时,注入的氢离子获得动能,而聚合成氢分子填充微裂缝中,所形成氢分子不能再以扩散离开裂缝,依PV = Nrt原理,氢分子数目快速扩大,故使裂缝内压力上升,进而试微裂缝扩张形成裂缝平板及聚集成大面积裂孔,最后使得元件晶圆上下层剥离,产生薄膜并转移至基材晶圆上,形成SOI结构TM制程是通 ...
【技术保护点】
一种微波裂片设备,其特征在于:该设备包括加热腔室、加热器、微波发生器、硅片传输机械手、载物台、测温系统和控制系统;其中:所述加热器、测温系统和控制系统设置于加热腔室内部,所述微波发生器设置于加热腔室外部;所述载物台固定于加热腔室底面上,加热腔室侧壁开传输孔,所述硅片传输机械手与控制系统连接,控制系统控制硅片传输机械手通过所述传输孔将硅片移入加热腔体内并置于载物台上及从载物台上抓取硅片并通过所述传输孔孔移出加热腔室。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:何自强,柳清超,刘洋,
申请(专利权)人:沈阳硅基科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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