本发明专利技术涉及一种具有电极(10)的光电器件。所述电极包括在平面内延伸的导电结构。该结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件(12)的网格。所述导电结构进一步包括一个或多个接触区(14)，所述接触区(14)具有半径至少为2D的内切圆和半径至多为三倍L的外切圆。所述接触区(14)所占据的面积至多为所述细长型元件(12)的网格所占据的面积的20％。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于光电器件的电极。 本专利技术进一步涉及一种具有这种电极的光电器件。本专利技术进一步涉及一种制造这种电极的方法。本专利技术进一步涉及一种制造具有这种电极的光电器件的方法。本专利技术进一步涉及一种制造这种电极的器件。本专利技术进一步涉及一种制造具有这种电极的光电器件的设备。
技术介绍
光电器件为响应于电信号提供光学效应或者响应于光学刺激生成电信号的器件。第一种实例为发光二极管，比如有机发光二极管以及电致变色器件。第二种实例为光伏电池。对于在柔性塑料衬底上照明的大面积有机发光二极管(OLED)，需要大电流以驱动该系统。用于阳极(比如Ι )和阴极(比如Ba/Al)的现有薄膜材料的电阻率大，并且大电流引起很大的压降，这就决定了发光不均匀。为了在塑料衬底上产生大面积的柔性有机发光二极管器件，需要其他的金属化结构以支持一个或两个电极。为了降低制造成本，使用内联卷到卷网涂层工艺，这种结构类型的金属化涂层将优选地用于一卷卷塑料薄膜上。因此，对于光电器件而言，比如发光器件和电致变色器件，以及对于光伏产品而言，金属化结构一方面需要具有良好的导电率，另一方面需要具有高传输的光子辐射。美国专利中请2002130605A中公开了光电器件的电极。光能够穿过该电极，该电极包括导电元件模式。与光的波长相比，元件的尺寸小，所以电极外观透明。与穿透电极之前的光强分布相比，穿透电极之后的光强分布受到前向散射的影响。在引用的美国专利申请中未描述电极如何连接到外部电源线。这通常通过连接到电极的边缘的母线实现。然而，在完成使用电极的最终产品之前，应使用母线。因此，应提前了解母线的尺寸。最好提供电极和具有可以任意尺寸制造成的这种电极的光电产品。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改进的光电器件。本专利技术的另一目的在于提供一种制造光电器件的改进方法。本专利技术的又一目的在于提供一种制造光电器件的设备。根据本专利技术的第一方面，提供了一种光电器件，包括第一电极(10)、第二电极(26)以及光电层(24),其中光电层设置在第一电极和第二电极之间,其中至少第一电极包括在平面内延伸的导电结构，该结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件的网格，该导电结构进一步包括一个或多个接触区，所述接触区具有半径至少为2D的内切圆和半径至多为三倍L的外切圆，其中接触区所占据的面积至多为细长型元件的网格所占据的面积的20 %。接触区的内切圆在此定义为适合接触区的最大的圆。外切圆为封闭接触区的最小圆。要注意的是，US2008/251808描述了氮化物半导体发光器件，该器件包括在衬底上发光的分层部分。分层部分包括η型半导体层、有源层以及P型半导体层。分层部分的外围倾斜，并且在该外围处暴露出η型半导体层的表面。η电极设置在η型半导体层的暴露面上。所引用的美国文档教导了用于产生光的分层部分10具有倾斜的外围。具有迷宫般结构的电极12同样具有倾斜部分，靠着分层部分10的倾斜外围施加(applied)所述倾斜部分。根据该美国文档，在倾斜外围处暴露的η型接触层的表面上建立η电极的欧姆接触，从而防止η型接触层透光。因此，根据所引用的美国文档，必 须在分层部分的相同水平上施加迷宫般结构，以达到与此处所公开的每个实施例中一致显示的效果。有鉴于此，该美国文档的教导不适用于美国专利申请2002130605Α中所公开的光电器件，对于该美国专利申请而言，发光材料必须设置在电极的后面以实现光强分布受到前向散射的影响。根据该施加，根据本专利技术的器件中的第二电极还可包括如上所述的导电结构。如果也要求第二电极透明，就较为有利。或者，如果不作此要求，可使用连续的电极，比如金属箔。根据本专利技术的第二方面，提供了一种制造光电器件的方法，包括制造光电器件的电极，包括步骤提供载体，在所述载体的表面上施加在平面内延伸的导电结构，该结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件的网格，该结构进一步包括一个或多个接触区，所述接触区具有半径至少为2D的内切圆和半径至多为三倍L的外切圆，其中所述接触区所占据的面积至多为细长型元件的网格所占据的面积的20%。该方法进一步包括步骤在电极处施加光电层，在与导电结构所形成的电极相对的光电层的侧边施加第二电极，提供可从外部进入的电气连接，该连接延伸到一个或多个接触区的至少一个接触区中。根据本专利技术的第五方面，提供了一种制造光电器件的设备，该设备包括制造用于光电器件的电极的器件，光电器件包括受控制的设施以在载体的表面处施加在平面内延伸的导电结构，该结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件的网格，该结构进一步包括一个或多个接触区，所述接触区具有半径至少为2D的内切圆和半径至多为三倍L的外切圆，其中接触区所占据的面积至多为细长型元件的网格所占据的面积的20 %，该设备进一步包括施加光电层的器件和施加第二电极的器件。根据本专利技术的措施能够在根据任意的切割线与半成品分离的器件内提供可靠的电气连接到网格状电极中。本专利技术尤其可应用于有机光电器件中，比如有机发光二极管，因为这些光电器件包括阻挡结构以防止该器件内部受到环境的湿度影响。附图说明结合附图更详细地描述这些和其他方面。其中图I为根据本专利技术的第一方面的光电器件的电极；图IA为图I的电极的第一细节；图IB为图I的电极的第二细节；图2为根据本专利技术的第一方面的光电器件。图2A为根据本专利技术的第一方面的光电器件的替换实施例；图3A到图31为根据本专利技术的第二方面的方法的第I到第9步骤； 图4A到图4C为根据本专利技术的第二方面的方法的第10到第12步骤；图5A到图为根据本专利技术的第一方面的光电器件的电极的替换实施例；图6A到图6C为根据本专利技术的第一方面的光电器件的电极的其他替换实施例；图7示意性示出了根据本专利技术的第三方面的设备。具体实施例方式在下面的具体描述中，提出了多个特定细节以便彻底理解本专利技术。然而，本领域的技术人员会理解的是，无需这些特定的细节就可实施本专利技术。在其他实例中，众所周知的方法、程序和元件未被详细描述，以避免本专利技术的各方面过于晦涩难懂。在附图中，为了清晰起见，层和区域的尺寸与相对尺寸被放大。要理解的是，虽然术语第一、第二、第三等在此可用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些部件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅仅用于区分一个元件、部件、区域、层或部分和另一个元件、部件、区域、层或部分。因此，在不背离本专利技术的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可称为第二元件、部件、区域、层或部分。在此结合剖视图描述本专利技术的实施例，这些剖视图为本专利技术的理想的实施例(以及中间结构)的示意图。同样，预期比如制造技术和/或容差会引起示图形状发生变化。因此，本专利技术的实施例不应理解为局限于此处所述的区域的特定形状，而应包括比如制造造成的形状偏差。除非另有说明，否则此处所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的意义与本专利技术所属领域的技术人员共同理解的意义相同。要进一步理解的是，在常用字典内定义的那些术语应解释为，具有与相关领域的上下文中的意义相同的意义，并且除非此处这样进行了明确的说明，否则不应在理想的或过于正式的意义上解释这些术语。通过引用的方式包括此处所提及的所有出版物、专利申请书、专本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·利夫卡，安东尼斯·玛丽亚·B·范默尔，
申请(专利权)人：荷兰应用自然科学研究组织TNO，皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：
国别省市：
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