【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种OLED的阳极或阴极结构,能够应用到顶发光或者底发光AMOLED结构中。
技术介绍
相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT-IXD),有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)具有高对比度、广视角、低功耗、更轻更薄等优点,有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。有机发光二级管(OLED)显示器是一种主动发光器件,其不仅可以用作构成AMOLED显示器的像素,也可以作为固态照明的光源。所以OLED性能的提高,尤其是效率的 提升直接影响到它的应用。顶发光OLED采用IT0/A1/IT0做阳极时,由于Al的厚度一般在10(T200nm之间,金属Al反射率比Ag要小10%左右,且Al较薄时(如IOOnm)透光比较严重。因此,通常会用Ag来做阳极,但是Ag会带来比较严重的污染问题和更高的成本。因此,若能够在采用IT0/A1/IT0做阳极时,特别是采用比较薄的Al (不仅仅局限于金属Al)时,提高阳极的反射率和减少透过率,有利于提高器件性能。同样的,对于底发光OLED器件而言,提高Al阴极的反射 ...
【技术保护点】
一种OLED阳极的增反结构,所述OLED的阳极由两层导电膜中间夹反射金属层构成,在所述阳极上侧覆盖有功能层与阴极材料层,其特征在于:在靠近所述功能层的导电膜与所述反射金属层之间增加具有导电特性的增反层,所述靠近所述功能层的导电膜的折射率为a,所述反射金属层的折射率为c,所述增反层的折射率b满足:ca。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈红,邱勇,黄秀颀,
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司,
类型:发明
国别省市:
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