发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括基板、介质反射镜层、第一导电层、发光层以及第二导电层。所述基板具有多个沟槽，而介质反射镜层设置于所述多个沟槽中，且介质反射镜层分别于每一个沟槽中形成一个介质反射镜区块。第一导电层设置于基板上，使得介质反射镜层位于基板与第一导电层之间，发光层设置于第一导电层上，且第二导电层设置于发光层上。当电流通过第一导电层、发光层与第二导电层时，发光层产生光线。由此，发光层所产生的光线可集中地朝向发光二极管的同一侧面射出。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管及其制造方法，且特别涉及一种具有介质反射镜层的发光二极管及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(light emitting diode, LED)具有低耗电、体积小、使用寿命长与光电特性稳定等优点，于现今产业的应用已相当广泛。举例来说，家用电器、电脑荧幕、手机、照明设备、医疗器材或交通号志，无不以发光二极管取代传统的灯泡、灯管做为主要的光源。图I是现有技术中的发光二极管的剖面示意图。如图I所示，传统的发光二极管9通常依序将一 η型半导体层90、一发光层92以及一 P型半导体层94设置在一基板96上，所述η型半导体层90还可连接一电极902，而所述P型半导体层94更可连接另一电极942。当两电极之间具有特定的电压差时，发光层92则会受所述电压差驱动而产生光线。一般来说，使用者通常会选定所述发光二极管9的一面为出光面，并以此出光面对准欲照射的物体，例如P型半导体层94可为发光二极管的出光面,而基板96表不发光二极管的背面。然而，发光层92实际上不仅会朝向发光二极管9的出光面发光(如图I中从发光层92往P型半导体层94的箭头)，也同时会朝向发光二极管9的背面发光(如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，包括：一基板，具有多个沟槽；一介质反射镜层，设置于所述多个沟槽中，该介质反射镜层分别于每一该沟槽中形成一介质反射镜区块；一第一导电层，设置于该基板上，使得该介质反射镜层位于该基板与该第一导电层之间；一发光层，设置于该第一导电层上；以及一第二导电层，设置于该发光层上；其中当一电流通过该第一导电层、该发光层与该第二导电层时，该发光层产生一光线。

【技术特征摘要】
2011.07.27 TW 1001266241.一种发光二极管，其特征在于，包括 一基板，具有多个沟槽； 一介质反射镜层，设置于所述多个沟槽中，该介质反射镜层分别于每一该沟槽中形成一介质反射镜区块； 一第一导电层，设置于该基板上，使得该介质反射镜层位于该基板与该第一导电层之间； 一发光层，设置于该第一导电层上；以及 一第二导电层，设置于该发光层上； 其中当一电流通过该第一导电层、该发光层与该第二导电层时，该发光层产生一光线。2.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，每一该沟槽中的该介质反射镜区块与该第一导电层包围出一空气间隙。3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，该空气间隙具有一深宽比例，该深宽比例依据一外延工艺中该第一导电层的五族半导体材料与三族半导体材料的比例调变。4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，该第一导电层的五族半导体材料与三族半导体材料的比例超过2000。5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，该第一导电层的五族半导体材料与三族半导体材料的比例在2000至3000的范围内。6.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，当该第一导电层的五族半导体材料与三族半导体材料的比例在O至2000的范围内时，每一该沟槽中的该介质反射镜区块与该第一导电层之间不具有一空气间隙。7.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，所述多个沟槽形成于该基板的一上表面，且设置于所述多个沟槽中的该介质反射镜层与该上表面共平面。8.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，该基板的材料选自硅、氮化镓、氮化铝、蓝宝石、尖晶石、碳化硅、砷化镓、三氧化二铝、二氧化锂镓、二氧化锂铝以及四氧化镁二铝所构成的群组中的材料。9.一种发光二极管制造方法，其特征在于，包括下列步骤 于一基板上设置一图案化光阻层； ...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈政宏，夏德玲，侯佳宏，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：