发光二极管元件制造技术

本发明专利技术关于一种发光二极管元件，发光二极管元件包括导电成长基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极。导电成长基板上表面具有第一区域和第二区域。半导体磊晶叠层位于导电成长基板的第一区域上。半导体磊晶叠层包括依序堆栈于第一区域1A上的反射层、具有第一导电特性的第一半导体层、活性层和具有第二导电特性的第二半导体层；第一电极位于第二半导体层上；第二电极位于第二区域上，通过导电成长基板与半导体磊晶叠层电性连结；第一电极和第二电极位于所述导电成长基板的同一侧。相较现有技术，本发明专利技术的发光二极管元件提升了亮度，并增强了第二电极和导电成长基板的粘着力，防止第二电极脱离导电成长基板。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管元件(Light Emitting Diode ；LED)结构,特别是涉及一种具有高反射性的布拉格反射层的水平发光二极管元件的结构。
技术介绍
传统的发光二极管元件其活性层产生的光往下入射至砷化镓基板时，由于砷化镓能隙较小，入射光会被砷化镓基板吸收，而降低发光效率。为了避免基板的吸光，传统上有一些文献揭露出提升发光二极管元件亮度的技术，例如在砷化镓基板上加入布拉格反射结构(Distributed Bragg Reflector ;DBR),用来反射入射向砷化镓基板的光，并减少砷化镓基板吸收。然而这种DBR反射结构是利用四元磊晶成长材料堆栈而成，叠层间的折射率差异不大，只能有效地反射较接近垂直入射于砷化镓基板的光，反射率约为80%，并且反射光的波长范围很小，效果并不大。 此外，电极形成在不同侧，在封装过程易造成电极与基板黏着不佳，导致电性不良，阻值增高。
技术实现思路
本专利技术提供一种提升亮度和增强第二电极和导电成长基板的粘着力的发光二极管元件。为达上述优点，本专利技术提出一种发光二极管元件，所述发光二极管元件包括导电成长基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管元件，其特征在于：所述发光二极管元件包括导电成长基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极，所述导电成长基板上表面具有第一区域和第二区域；所述半导体磊晶叠层位于所述导电成长基板的所述第一区域上；所述半导体磊晶叠层包括反射层、具有第一导电特性的第一半导体层、活性层和具有第二导电特性的第二半导体层；所述反射层位于所述第一区域上；所述第一半导体层位于所述反射层上；所述活性层位于所述第一半导体层的上面；所述第二半导体层位于所述活性层的上面；？所述第一电极位于所述第二半导体层上；所述第二电极位于所述第二区域上，通过所述导电成长基板与所述半导体磊晶叠层电性连结；所述第一电极和第二电极位于所述导...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管元件，其特征在于所述发光二极管元件包括导电成长基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极，所述导电成长基板上表面具有第一区域和第二区域；所述半导体磊晶叠层位于所述导电成长基板的所述第一区域上；所述半导体磊晶叠层包括反射层、具有第一导电特性的第一半导体层、活性层和具有第二导电特性的第二半导体层；所述反射层位于所述第一区域上；所述第一半导体层位于所述反射层上；所述活性层位于所述第一半导体层的上面；所述第二半导体层位于所述活性层的上面；所述第一电极位于所述第二半导体层上；所述第二电极位于所述第二区域上，通过所述导电成长基板与所述半导体磊晶叠层电性连结；所述第一电极和第二电极位于所述导电成长基板的同一侧。2.如权利要求I所述的发光二极管元件，其特征在于所述发光二极管元件进一步包括位于所述第二区域与所述第二电极之间的叠层保留部，所述叠层保留部的材料组成包括至少与所述反射层、及/或部分所述半导体磊晶叠层、及/或所述半导体磊晶叠层相同的材料。3.如权利要求I所述的发光二极管元件，其特征在于所述发光二极管元件进一步包括位于所述第二区域与所述第二电极之间的凹部，所述凹部是移除一部份所述导电成长基板所形成。4.如权利要求I所述的发光二极管元件，其特征在于所述发光二极管元件进一步包括位于所述第二半导体层上的透明导电层，所述透明导电层与所述第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈吉兴，陈怡名，许嘉良，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：