一种二硫化钨微米结构的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体微米材料制造类，具体涉及到一种二硫化钨微米结构的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积（CVD）方法，以硫脲和六氯化钨（WCl6）为反应源，在750-950℃真空状态下反应而得到。本发明专利技术通过将硫脲和?WCl6?分别放在反应系统的恒温区和低温区，使WC?l6反应温度保持在750-950℃，WCl6与硫脲的温差保持在50-150℃，利用二者的温差使其在特定温度下同时达到饱和蒸汽压，产生蒸汽，进行反应。本发明专利技术不仅具有简单易行、环保无毒，还具有产物尺寸均匀的特点，特别是以无毒的硫脲作为S源，既降低了生产成本又减少了H2S等S源的毒性，是一种既经济实惠又环保的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体微米材料制造类，具体是，尤其是一种二硫化钨微米管的制备方法。
技术介绍
无机富勒烯纳米材料的奇特结构、优异性质和许多潜在应用，使其引起了全世界科学家的广泛关注和研究兴趣。二硫化钨(WS2)通常情况下为层状结构化合物，具有类似于石墨的结构，是WS2层沿C轴(垂直于硫化物层)的堆叠，WS2层内是金属W原子与S原子强的共价键结合，而WS2层之间是靠弱的范德华力结合，此外，WS2本身作为一种半导体，在能带工程方面具有重要的应用潜质。最近更有科学家提出可用WS2的单分子层材料制造半导体器件，或用来制造更小、能效更高的电子芯片，在下一代纳米电子设备领域，将比传统的硅材料或富勒烯更有优势。因此，WS2纳米结构一经发现，就因其独特的微观结构、物理性 能和在众多领域的潜在应用而成为研究焦点。从制备方法上讲，WS2纳米结构的制备主要包括水热反应法，化学气相沉积(CVD)法，超声振荡法，微波辐射法，WO3还原方法等，其中比较常用的方法是水热法和CVD方法，如Y. D. Li等(JACS)通过水热方法制备出了 WS2纳米管，但该方法制备周期长；Jifen Wu等(Material Le本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二硫化钨微米结构的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积方法，以硫脲和六氯化钨为反应源，在750？950℃真空状态下反应而得到。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李京波，孟秀清，李庆跃，李凯，池旭明，夏建白，
申请(专利权)人：浙江东晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：