浙江东晶光电科技有限公司专利技术

浙江东晶光电科技有限公司共有17项专利

  • 本实用新型属于蓝宝石单晶(氧化铝单晶)生长设备技术领域,具体是一种泡生法蓝宝石晶体炉发热体结构,包括钨杆,其特征在于:钨杆间用半环钨圈用及钨铼丝捆绑在一起形成四边形结构,在四边形结构中设置若干组增强杆,每组增强杆为相互交叉的两根增强钨支...
  • 本实用新型属于蓝宝石单晶生长技术与设备领域,具体是一种泡生法蓝宝石晶体生长用籽晶夹头,其特征在于:在籽晶夹头上设有上凹槽、中凸槽与下凹槽,中凸槽为圆凸槽,上下为浅凹槽结构。本实用新型由于采用了新的籽晶夹头设计,其中部圆凸槽结构使籽晶承受...
  • 本实用新型属于机械加工类,具体是一种用于蓝宝石带锯切割机限位保护的传感器装置,包括带锯、传感器、轴承、连接杆、套筒,其特征在于:轴承带V形凹槽,套在带凹槽的轴承套内,带锯卡在轴承V形凹槽内,轴承套连接连接杆,连接杆带有弹簧,并由调节螺丝...
  • 本发明属于半导体微米材料制造类,具体涉及到一种二硫化钨微米结构的制备方法,其特征在于:采用化学气相沉积(CVD)方法,以硫脲和六氯化钨(WCl6)为反应源,在750-950℃真空状态下反应而得到。本发明通过将硫脲和?WCl6?分别放在反...
  • 本发明属于蓝宝石单晶生长技术领域,具体是一种泡生法生长蓝宝石晶体的自动引晶技术,其特征在于:引晶运行首先将称重机构自动进行归零;程序通过曲线自动计算出籽晶的重量变化,若此重量变化在10-20g,程序将进入自动进行拉环动作,否则程序将自动...
  • 本发明属于纳米结构制备方法类,具体一种锌基锑化物纳米结构的制备方法,其特征在于:以四氢呋喃(THF)和二甲基亚枫(DMSO)为溶剂,以纯度在99.9%以上的高纯锌粉(Zn)、硼氢化纳(NaBH4)和三氯化锑(SbCl3)为反应溶质制备而...
  • 本发明涉及一种高纯氧化铝的制备方法,特别是一种用于生长蓝宝石单晶的高纯氧化铝的制备方法,将高纯硫酸铝铵研磨以获得粒度均匀的硫酸铝铵前驱体粉末,然后将其分温度段加热进行热解除去副产物,并通过进一步的烧结获得高纯的粒度均匀的氧化铝粉体。本发...
  • 本发明涉及一种二硒化钨纳米线的制备方法,特别是高取向性二硒化钨(WSe2)纳米线的制备方法,具体是采用两步反应法,首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2为反应溶质,以CTAB为络合剂,纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂,采用...
  • 本实用新型属于蓝宝石单晶生长设备领域,具体是一种用于泡生法蓝宝石晶体炉的内层隔热屏,其特征在于:该隔热屏由上隔热层、中隔热层、下隔热层三部分组成,上隔热层、中隔热层、下隔热层均由钼金属制成,上隔热层与下隔热层在晶体炉的低温区,中隔热层在...
  • 本发明涉及上转换发光材料技术领域,具体是一种制备上转换发光材料的方法,首先通过溶胶-凝胶方法制备出包埋在非晶基体中的TiO2:Er-Yb纳米晶上转换发光材料,然后将该上转换发光材料浸在Mo(NO3)3溶液中进行化学修饰,在500-100...
  • 本发明属于电化学领域,具体是一种CuI薄膜的制备方法,包括CuI纳米管,其特征在于:以FTO玻璃做衬底、高纯度的去离子水做反应溶剂,以CuSO4和KI为反应溶质,以EDTA做络合剂,采用电化学方法在沉积电位为-0.05~-0.6V、沉积...
  • 本发明涉及光子器件技术领域,具体是一种绝缘体上硅基的波导光栅耦合器及其制备方法,该光栅耦合器绝缘衬底硅(SOI)片,其特征在于:SOI片由硅衬底、限制层、顶硅层构成,限制层在硅衬底上,顶硅层制作在限制层上,在顶硅层的表面制作有衍射光栅,...
  • 本发明涉及人工合成单晶体技术领域,特别是一种五氯二铅钾单晶的生长装置,包括晶体生长炉,其特征在于:晶体生长炉内设有石英坩埚、隔热板、旋转下降装置,石英坩埚置于隔热板上,石英坩埚的底部带有旋转下降装置,石英坩埚带有压力控制系统,压力控制系...
  • 本发明涉及半导体光电器件领域,具体是一种双侧面发光的半导体发光管的封装方法,其特征在于将发光芯片放置在导热绝缘过渡片的金属化层上,导热绝缘过渡片放置在金属底盘上,金属底盘上套一玻璃套,采用环氧树脂将玻璃套内填充,将发光芯片和金属引线封装...
  • 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种侧向发光的红外半导体发光管管芯的制备方法,其特征在于:在n型掺杂的GaAs衬底上依次生长n型GaAs缓冲层、n型Al0.45Ga0.55As下限制层、Al0.25Ga0.75As下波导层、Al0.0...
  • 本发明属于半导体技术类,具体是一种量子阱发光管外延片及其生长方法,其特征在于:外延片至少包括:一层n型GaAs衬底;一层n型掺杂的GaAs缓冲层,一层n型掺杂的AlGaAs下限制层,一层非掺杂或少量n型掺杂或部分厚度n型掺杂的AlGaA...
  • 本发明属于固态照明领域,特别是一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法,具体方法是把均匀分散的氧化硅纳米球溶液滴在经洁净处理蓝宝石衬底上,使用匀胶机把氧化硅纳米球均匀单层涂覆在蓝宝石衬底表面;以涂覆氧化硅纳米球做掩膜的蓝宝石...
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