【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高纯氧化铝的制备方法，特别是。
技术介绍
高纯氧化铝具有高强度、高硬度、抗磨损、耐高温、耐化学腐蚀等优良性质，是电子工业上制作集成电路基片、透光性灯管荧光粉、功能单晶精密仪表及航空光学器件等的重要材料。众所周知，当前LED芯片多采用蓝宝石单晶作为基片，高性能的芯片对衬底的要求也很苛刻，高质量的衬底是制备高性能芯片的前提，这就要求制备衬底的原材料具有较高的质量和纯度。氧化铝作为制备蓝宝石单晶的原材料，其纯度对蓝宝石单晶的晶体质量有着直接影响。制备高纯度氧化铝的方法也有多种，如早期采用改良拜耳法，以偏铝酸铵为原料，经过多次脱硅、脱铁、高温分解等程序获得高纯氢氧化铝，然后经高温焙烧、研磨等程序·获得高纯超细氧化铝。另外两种常用的方法是以碳酸铝铵和硫酸铝铵为原料的碳酸铝铵热分解法(专利CN1448340A)和有机铝水解焙烧法(专利CN1342609A)制备高纯氧化铝。但以上方法都存在操作工艺复杂、工艺中涉及的生产环节多等问题。还有一种比较常用的方法是硫酸铝铵高温热解方法，此方法不需要其他原材料参与，只通过简单的热解就可以得到氧化铝粉体，但存在烧结温度高...
【技术保护点】
一种用于生长蓝宝石单晶的高纯氧化铝的制备方法，其特征在于：将高纯硫酸铝铵研磨以获得粒度均匀的硫酸铝铵前驱体粉末，然后将其分温度段加热进行热解除去副产物，并通过进一步的烧结获得高纯的粒度均匀的氧化铝粉体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李京波，孟秀清，李庆跃，李凯，汪林望，池旭明，夏建白，
申请(专利权)人：浙江东晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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