一种量子阱发光管外延片及其生长方法技术

本发明专利技术属于半导体技术类，具体是一种量子阱发光管外延片及其生长方法，其特征在于：外延片至少包括：一层n型GaAs衬底；一层n型掺杂的GaAs缓冲层，一层n型掺杂的AlGaAs下限制层，一层非掺杂或少量n型掺杂或部分厚度n型掺杂的AlGaAs下波导层，一个或多个非掺杂的AlGaInAs/AlGaAs量子阱结构，一层非掺杂或少量p型掺杂或部分厚度p型掺杂的AlGaAs上波导层，一层p型掺杂的AlGaAs上限制层，一层p型掺杂的GaAs欧姆接触层，外延片生长采用金属有机物化学汽相沉积方法制备。本发明专利技术外延片通过细微调整量子阱的厚度等条件来调整发光管的中心波长，将中心波长调节在800nm附近，产品可靠性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光管领域，具体涉及，尤其是一种涉及中心波长在SOOnm士 IOnm波段的近红外半导体发光管用的AlGaInAs量子阱发光管外延片结构及生长方法。
技术介绍
GaAs基的III-V族化合物半导体材料属于闪锌矿结构，直接带隙跃迁，在制作红外发光二极管(LED)、红外激光管(LD)等半导体光电器件、光电子集成电路方面有重要的应用。GaAs基的红外发光管在红外防盗、报警，自动计数、编码，生产安全保护、监控等方面也有很大的发展前景，国内需求量非常大。目前市场上的半导体发光管主要集中在可见光领域，红外发光管无论从研发角度还是生产角度，所占比例均较小。而且已有的红外发光管的波段仅限于850nm和940nm，在800nm附近还没有相关的文献报道和产品出售。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足，提供一种采用单个或多个AlGaInAs应变量子阱做为发光区的GaAs基红外发光管用的量子阱发光管外延片及其生长方法，器件中心光光波长为800nm左右。本专利技术采用以下技术方案本专利技术一种量子阱发光管外延片，至少包括层η型掺杂GaAs衬底；一层η型掺杂的GaAs缓冲层，位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种量子阱发光管外延片，其特征在于，它至少包括：一层ｎ型掺杂ＧａＡｓ衬底；一层ｎ型掺杂的ＧａＡｓ缓冲层，位于衬底之上；一层ｎ型掺杂的ＡｌＧａＡｓ下限制层，位于缓冲层之上；一层非掺杂或少量ｎ型掺杂或部分厚度ｎ型掺杂的ＡｌＧａＡｓ下波导层，位于下限制层之上；一个或多个非掺杂的ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构，位于下波导层之上；一层非掺杂或少量ｐ型掺杂或部分厚度ｐ型掺杂的ＡｌＧａＡｓ上波导层，位于量子阱结构之上；一层ｐ型掺杂的ＡｌＧａＡｓ上限制层，位于上波导层之上；一层ｐ型掺杂的ＧａＡｓ欧姆接触层，位于上限制层之上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李京波，李庆跃，李凯，刘媛媛，池旭明，李树深，夏建白，
申请(专利权)人：浙江东晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：33