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本发明属于半导体技术类，具体是一种量子阱发光管外延片及其生长方法，其特征在于：外延片至少包括：一层n型GaAs衬底；一层n型掺杂的GaAs缓冲层，一层n型掺杂的AlGaAs下限制层，一层非掺杂或少量n型掺杂或部分厚度n型掺杂的AlGaAs下...
该专利属于浙江东晶光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江东晶光电科技有限公司授权不得商用。

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