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本发明属于半导体微米材料制造类，具体涉及到一种二硫化钨微米结构的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积（CVD）方法，以硫脲和六氯化钨（WCl6）为反应源，在750-950℃真空状态下反应而得到。本发明通过将硫脲和?WCl6?分别放在反应系...
该专利属于浙江东晶光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江东晶光电科技有限公司授权不得商用。

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