【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米材料制备合成
，涉及常温下简易制备出形貌均一的纳米花的方法，特别涉及一种。
技术介绍
硒化物半导体材料的带隙一般在O. 3到3. OeV之间，是一种重要的直接带隙型半导体材料，具有优良的半导体性质，在半导体发光器件、光电器件、热电装置等方面都有着非常广泛的应用。对它们的制备方法以及光、电、磁等性质的研究，己成为目前人们关注的焦点。因而，近些年来，人们对硒化物半导体纳米材料的制备方法、性能以及应用进行了大量的研究，并取得了一定的成就。通过研究发现，无机纳米材料的形貌和尺寸可以改变它们的性质。在这些材料中，硒化锡是一种重要的IV-VI族半导体，其体相材料的间接带隙为O. 90 eV，直接带隙为I. 30eV，可以吸收太阳光谱的绝大部分；作为一种含量丰富、环境友好且化学稳定的半导体材料，硒化锡是新型太阳能电池潜在候选材料之一，因此其纳米材料的合成受到人们的关注形貌的无机纳米材料即使是同样的物质也常常会表现出不同的性质。所以，寻找工艺简单、成本低廉的多形态的硒化锡纳米材料的制备方法是十分必要的，为其成为未来新颖的太阳能电池材料提供更多的科学依据和...
【技术保护点】
一种硒化锡纳米花的制备方法，将二氧化硒置于含有氢氧化钠的碱性水溶液中，在抗坏血酸还原作用下经水热反应制备出硒离子,然后加入到含有过量锡离子的溶液中，形成沉淀，室温下陈化并离心真空干燥制备出硒化锡纳米花。
【技术特征摘要】
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