金属氧化物半导体场效晶体管输出线性电流的栅极驱动电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
金属氧化物半导体场效晶体管输出线性电流的栅极驱动电路
本专利技术是关于一种使金属氧化物半导体场效晶体管输出线性电流的栅极驱动电路，尤指一种结构简单的金属氧化物半导体场效晶体管电压至电流转换驱动电路。
技术介绍
在数字电路中，控制端一般多是接收电压信号输入，有些控制需将输入的线性电压转换为线性电流输出，例如锁相回路(PLL)中的电压控制震荡器(VCO)，便需将电压依比例转换成电流；而在长距离传输数字电压信号时，传输线电阻会使电压信号衰减，故须先将电压信号转成电流后，以电流方式传送，以减少传输线阻抗对信号的影响。公知的电压-电流转换器显示在第1图中。其以放大器与电流镜电路合并，成为主动电流镜差动对，控制电压Vin从放大器正端输入，经负回授控制，放大器虚短路特性使电阻Rs上方的端电压为V-n，通过电阻Rs的电流量为Iout＝Vin/Rs，电流Iout由电流镜转换输出；以电压源为5V而言，当Iout等级须为10-9A时，电阻Rs便需106Ω以上等级，在芯片中以多晶硅作为电阻，106Ω等级电阻值除了需要很大的面积致使成本增加外，以多晶硅作为电阻其电阻值因工艺差异造成的改变最...
【技术保护点】
一种使金属氧化物半导体场效晶体管输出线性电流的栅极驱动电路，包括有：一N型金属氧化物半导体场效晶体管，其栅极端与漏极端连接；一P型金属氧化物半导体场效晶体管，其栅极端与漏极端连接，其漏极端与该N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极端连接；以及一电压输入电路，包括有一输入端与一连接端子，该输入端用以接收输入电压，该连接端子连接到该N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极端与该P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端。
【技术特征摘要】
2011.07.22 TW 1001259091.一种使金属氧化物半导体场效晶体管输出线性电流的栅极驱动电路，包括有:一N型金属氧化物半导体场效晶体管，其栅极端与漏极端连接；一P型金属氧化物半导体场效晶体管，其栅极端与漏极端连接，其漏极端与该N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极端连接；以及一电压输入电路，包括有一输入端与一连接端子，该输入端用以接收输入电压，该连接端子连接到该N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极端与该P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端，该电压输入电路接收输入电压时，该连接端子可输出一电压，该电压可使P型金属氧化物半导体场效晶体管产生一与该输入电压成线性关系的电流。2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征...
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