具有低导通电阻的栅压自举开关及其衬偏效应消除方法技术

本发明专利技术涉及集成电路领域，公开了一种具有低导通电阻的栅压自举开关及其衬偏效应消除方法。本发明专利技术中，起开关作用的M1的衬底并不直接与其源端短接，而是通过一个控制开关与其源端相连。该控制开关在栅压自举电路处于预充电模式时，处于关断状态；在栅压自举电路处于自举模式时，处于打开状态。因此，当栅压自举电路处于预充电模式时，M1的衬底相当于接地，保证了M1的彻底关断；而当栅压自举电路处于自举模式时，M1的衬底将通过该控制开关与其漏端连通，消除衬偏效应，使得无论输入信号为多少，开关M1的导通电阻都保持不变。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及栅压自举开关的衬偏效应消除技术。
技术介绍
在模拟电路中，通常用MOS(金属氧化物半导体)晶体管来实现开关的功能。以N型MOS开关为例，MOS管的导通电阻与栅极到源极的电压有关，该电压越小则导通电阻越大。一般在开关导通时，栅极电压固定在一个高电平，源极接输入信号。因而，导通电阻会随着输入信号的变化而变化，尤其是当信号电压接近栅极电压的时候，N型MOS管近似关断。为了能处理较高电压的信号，通常将栅极接最高电平，也就是电源电压，前提是要保证MOS管不被击穿。 为了能处理接近甚至高于电源电压的信号，栅压自举技术通过抬高栅极电压使其高于电源电压，从而实现更高的可处理信号电压，图I所示为一种典型的栅压自举开关电路。图I中，Ml为实现开关功能的NMOS管，其余部分为栅压自举电路，在两相时钟phi和Phib的控制下将N2抬至电源电压以上。该电路分为两个工作状态，当phi为低电平，phib为高电平时，电路处于预充电状态。假设电源电压为Vdd，此时N4=2*Vdd，M4打开，同时M13也打开，C3被充至Vdd。另一方面，M6打开，NI充至Vdd，使得M9关断。并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有低导通电阻的栅压自举开关，包含：作为开关的金属氧化物半导体MOS晶体管（M1）、与该MOS晶体管（M1）相连的栅压自举电路，其特征在于，所述MOS晶体管（M1）的衬底通过一控制开关与本MOS晶体管（M1）的源端相连；其中，所述控制开关在所述栅压自举电路处于预充电模式时，处于关断状态；在所述栅压自举电路处于自举模式时，处于打开状态。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢循，方飞，
申请(专利权)人：泰凌微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：