模拟开关电路结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种模拟开关电路结构，包括反相器电路模块、通道对管电路模块和断点保护电路模块，反相器电路模块的输入端与控制信号输入端(CRT)连接，通道对管电路接于信号输入端(IN)和信号输出端(OUT)之间，通道对管电路包括第三PMOS场效应管(P3)，反相器电路模块的输出端与第三PMOS场效应管(P3)的栅极连接，第三PMOS场效应管(P3)的衬底通过断点保护电路模块与电源(VDD)或信号输入端(IN)连接。采用该种结构的模拟开关电路结构，避免了输入信号通过场效应管源极和衬底间的寄生二极管漏电到VDD，实现了电源断电情况下的模拟开关的正常关断，有效防止了输入端到电源的漏电流，结构简单实用，工作性能稳定可靠，适用范围较为广泛。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体集成电路设计领域，特别涉及半导体集成电路中模拟开关
，具体是指ー种模拟开关电路结构。
技术介绍
目前模拟开关广泛用于模拟信号的传输和选择。各种高清的视频、音频信号的传输对模拟开关的性能提出了越来越高的要求。传统的模拟开关电路为了传输接近电源(VDD)的电压，传输通道采用PMOS和NMOS 管对称连接的方式。PMOS的衬底(B端)接VDD，PMOS的S和B之间形成ー个寄生ニ极管。当VDD断电，输入端有信号时，会造成输入端到VDD的寄生ニ极管的漏电，同时此信号会泄露到输出端，从而模拟开关无法正常关断。ー些新型的模拟开关电路，比如中国专利CN200810203211. X所述。为了降低电路的导通电阻，将通道PMOS的衬底在导通时连接到输入端，这种模拟开关在断电时，同样会出现输入信号泄露到输出端的现象。请參阅图Ia和图Ib所示，其是传统的模拟开关电路，其中VDD表不电路的电源电压,GND表不电路的地，IN表不信号输入端,OUT表不信号的输出端，Vthp表示PMOS管的开启电压，Vthd表示PMOS寄生ニ极管的正向导通电压，VGS表示MOS管的栅源电压差。Pl Pn为P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种模拟开关电路结构，包括反相器电路模块和通道对管电路模块，所述的反相器电路模块的输入端与控制信号输入端(CRT)相连接，所述的通道对管电路接于信号输入端(IN)和信号输出端(OUT)之间，其特征在于，所述的电路结构还包括断点保护电路模块，所述的通道对管电路中包括第三PMOS场效应管(P3)，所述的反相器电路模块的输出端与该第三PMOS场效应管(P3)的栅极相连接，且该第三PMOS场效应管(P3)的衬底通过所述的断点保护电路模块与电源(VDD)或者信号输入端(IN)相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐栋，叶青，朱立群，牛征，彭云武，严淼，
申请(专利权)人：无锡华润矽科微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：