聚合物表面纳米线阵列及其制备方法技术

技术编号:8238328 阅读:207 留言:0更新日期:2013-01-24 18:19
本发明专利技术公开了一种聚合物表面纳米线阵列及其制备方法。该聚合物表面纳米线阵列包括聚合物平板、表面垂直或者倾斜于聚合物平板的聚合物纳米线。其制备方法包括以下步骤:(1)将聚合物衬底表面进行适当的处理;(2)将石英微针阵列压入聚合物衬底的表面;(3)将石英微针阵列与聚合物表面垂直分离一定距离并平移一定距离保持一定时间;(4)将石英微针阵列与聚合物表面彻底分离,即得聚合物表面纳米线阵列。本发明专利技术结构新颖,制备简单,可在光学、光电、信息等领域获得广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
聚合物表面纳米线阵列,其特征是,包括聚合物平板和位于聚合物平板表面的聚合物纳米线,所述聚合物纳米线垂直或者倾斜于聚合物平板;所述的聚合物为可热熔加工或者可溶剂溶解的聚合物材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈延峰葛海雄袁长胜卢明辉
申请(专利权)人:无锡英普林纳米科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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