四氧化三钴微-纳复合结构阵列及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种四氧化三钴微-纳复合结构阵列及其制备方法。阵列为导电衬底上置有松散排列的四氧化三钴碗阵列或四氧化三钴空心球阵列，构成碗阵列或空心球阵列的碗或空心球之间的导电衬底表面覆有网状四氧化三钴片，四氧化三钴碗的碗口直径为1～30μm，壁厚为10～100nm，其由网状四氧化三钴片组成，四氧化三钴空心球的内直径为1～30μm，壳厚为20～300nm，其由网状四氧化三钴片组成，网状四氧化三钴片厚为5～20nm；方法为先将其上置有单层胶体晶体模板的导电衬底置于等离子刻蚀机中刻蚀至少10min，再将其置于钴电解液中，于电流密度为2～50μA/cm2下电沉积10～50min或55min～4h后，将其置于溶剂中去除模板，制得目标产物。它可用于磁器件以及电化学反应腔载体上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种四氧化三钴微？纳复合结构阵列，包括导电衬底，其特征在于：所述导电衬底上置有松散排列的四氧化三钴碗阵列或四氧化三钴空心球阵列，所述构成四氧化三钴碗阵列的四氧化三钴碗之间或构成四氧化三钴空心球阵列的四氧化三钴空心球之间的导电衬底表面覆有网状四氧化三钴片；所述四氧化三钴碗的碗口直径为1～30μm，碗壁厚为10～100nm，其由网状四氧化三钴片组成；所述四氧化三钴空心球的内直径为1～30μm，球壳厚为20～300nm，其由网状四氧化三钴片组成；所述网状四氧化三钴片的片厚为5～20nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：段国韬，李越，罗媛媛，刘广强，蔡伟平，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：