一种LED陶瓷基座制造技术

本实用新型专利技术的LED陶瓷基座，包括基片、正电极、背电极、侧导电极和外保护层，所述正电极设置在所述基片的上表面，所述背电极设置在所述基片的下表面，所述侧导电极设置在所述基片的侧端面，且与所述正电极和背电极的全部或部分相连接，所述外保护层覆盖在所述正电极的部分上表面。通过上述结构获得的LED陶瓷基座及封装产品，其成本低廉、质量可靠、散热特性更优良、适合SMT工艺。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED陶瓷基座。
技术介绍
在LED
，散热问题是制约LED技术发展的关键技术之一。众所周知，LED的结温对LED光通量有着重要影响，为有效解决结温(实质是散热)问题，业内在LED基板散热方面做了大量的有益尝试。目前业内普遍采取了 2种解决方案，其一，是散热基板采用铝基板散热，由于金属铝基板散热效率较高，可以很好地改善LED器件的散热效率。但是，由于LED芯片COB邦定封装前需要在金属铝基板表面进行有效电气隔离和绝缘，该电气隔离和绝缘问题又带来了可靠性和导热问题，导致金属铝基板丧失了一些优良特性，使产品技术推广大打折扣。其二，业内目前开发了一种LTCC陶瓷基板技术，该技术采用陶瓷基板作为LED沉底，彻底解决了金属铝基板的有效电气隔离和绝缘问题带来的可靠性和导热问·题，成为行业发展的新的拓展方向。然而，由于LTCC在工艺、材料和技术上尚处于推广完善期，尤其是LTCC需要在瓷片上打孔和填充金属浆料，是一个技术难点，因此，目前的产品成本和效率问题，制约了 LTCC技术的进一步推广和应用。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种成本低廉、质量可靠、散热效率高、适合SMT工艺的LED陶瓷基座。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案包括基片、正电极、背电极、侧导电极和外保护层，所述正电极设置在所述基片的上表面，所述背电极设置在所述基片的下表面，所述侧导电极设置在所述基片的侧端面，且与所述正电极和背电极相连接，所述外保护层覆盖在所述正电极的上表面。进一步地，所述基片采用氧化铝、氮化铝或氧化铍构成。进一步地，所述正电极的全部或至少其中一部分由银、银钯、银钼、铜、金或钼构成。进一步地，所述背电极采用银或贱金属铜材料构成。进一步地，所述侧导电极设置在所述基片的侧端面，且与所述正电极和背电极相连接，所述侧导电极采用银或铜构成。进一步地，所述正电极由相互叠加或相互搭接一层以上的电极结构组成。本技术的LED陶瓷基座，具有成本低廉、散热效率高、可靠性高、性能稳定等特点、适合表面贴装技术，适合工业化大批量生产。附图说明图I为本技术LED陶瓷基座的外形结构示意图；图2为图I中除去外保护层后的结构示意图；图3为本技术LED陶瓷基座中背电极的正视图；图4为本技术LED陶瓷基座实施例一的示意图；图5为本技术LED陶瓷基座实施例二的示意图；图6为本技术LED陶瓷基座实施例二中 背电极的结构示意图。具体实施方式本实施例中，参照图I至图3所示，该LED陶瓷基座，包括基片I、正电极2、背电极3、侧导电极4、外保护层5，所述基片I优选采用氮化铝陶瓷，亦可选择氧化铍或96-99%氧化铝。所述正电极2采用厚膜丝印工艺印刷在所述基片I的上表面，或者，所述正电极2采用厚膜丝印工艺印刷在所述基片I的上表面后，可以利用电镀或溅射等工艺在电极表面进行热沉处理。所述背电极3设置在所述基片I的下表面，所述侧导电极4设置在所述基片I的侧端面，且与所述正电极2和背电极3电连接，所述外保护层5覆盖在所述正电极2的部分上表面。所述正电极2的全部或至少其中一部分，至少由银、银钯、银钼、铜、金或钼等金属或贱金属材料的其中一种或数种材料构成，因而可以利用不同材料的优点获得较好的产品特性。所述背电极3采用银或贱金属铜等材料构成，相比较而言，成本可控。所述侧导电极4设置在所述基片I的侧端面，且与所述正电极2和所述背电极3的全部或部分相连接。或者，所述侧导电极4设置在所述基片I的侧端面后，可以利用电镀或溅射等工艺在电极表面进行热沉处理，以期获得好的SMD特性。所述侧导电极4采用银或铜等材料构成，成本低廉。所述正电极3可以由相互叠加或相互搭接多层电极结构组成，在产品成本和性能上获得优选方案。所述正电极3的上表面的局部部分还可设置外保护层5，主要用于保护正电极3长期可靠性，增加阻焊功能。实施例一如图4中所示，本技术包括基片I、正电极2、背电极3、侧导电极4，所述基片I优选采用氮化铝陶瓷，所述正电极2采用厚膜丝印工艺印刷在所述基片I的上表面，所述背电极3设置在所述基片I的下表面，所述侧导电极4设置在所述基片I的侧端面，且与所述正电极2和背电极3电连接。所述正电极2由银和铜材料构成。所述背电极3采用银材料构成。所述侧导电极4设置在所述基片I的侧端面，且与所述正电极2和所述背电极3的全部或部分相连接。所述侧导电极4采用银或铜等材料构成。实施例二如图5和图6所示，本技术包括基片I、正电极2、背电极3、侧导电极4，所述基片I优选采用氮化铝陶瓷，所述正电极2采用厚膜丝印工艺印刷在所述基片I的上表面，所述背电极3设置在所述基片I的下表面，所述侧导电极4设置在所述基片I的侧端面，且与所述正电极2和背电极3电连接，所述侧导电极4根据LED产品封装产品功率和模组结构被设置成两边对称的两组侧导电极，以适应不同LED产品封装产品功率和模组需要。所述正电极2由银和金材料构成。所述背电极3采用贱金属铜材料构成。所述侧导电极4设置在所述基片I的侧端面，且与所述正电极2和所述背电极3的全部或部分相连接。所述侧导电极4采用银或铜等材料构成。以上已将本技术做一详细说明，以上所述，仅为本技术之较佳实施例而已，当不能限定本技术实施范围，即凡依本申请范围 所作均等变化与修饰，皆应仍属本技术涵盖范围内。权利要求1.一种LED陶瓷基座，包括基片、正电极、背电极、侧导电极和外保护层，所述正电极设置在所述基片的上表面，所述背电极设置在所述基片的下表面，所述侧导电极设置在所述基片的侧端面，且与所述正电极和背电极相连接，所述外保护层覆盖在所述正电极的上表面。2.根据权利要求I所述的LED陶瓷基座，其特征在于所述基片采用氧化铝、氮化铝或氧化铍构成。3.根据权利要求I所述的LED陶瓷基座，其特征在于所述正电极的全部或至少其中一部分由银、银钯、银钼、铜、金或钼构成。4.根据权利要求I所述的LED陶瓷基座，其特征在于所述背电极采用银或贱金属铜材料构成。5.根据权利要求I所述的LED陶瓷基座，其特征在于所述侧导电极设置在所述基片的侧端面，且与所述正电极和背电极相连接，所述侧导电极采用银或铜构成。6.根据权利要求I所述的LED陶瓷基座，其特征在于所述正电极由相互叠加或相互搭接一层以上的电极结构组成。专利摘要本技术的LED陶瓷基座，包括基片、正电极、背电极、侧导电极和外保护层，所述正电极设置在所述基片的上表面，所述背电极设置在所述基片的下表面，所述侧导电极设置在所述基片的侧端面，且与所述正电极和背电极的全部或部分相连接，所述外保护层覆盖在所述正电极的部分上表面。通过上述结构获得的LED陶瓷基座及封装产品，其成本低廉、质量可靠、散热特性更优良、适合SMT工艺。文档编号H01L33/48GK202678399SQ201220162928公开日2013年1月16日 申请日期2012年4月12日 优先权日2012年4月12日专利技术者白云峰 申请人:东莞市简创电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED陶瓷基座，包括基片、正电极、背电极、侧导电极和外保护层，所述正电极设置在所述基片的上表面，所述背电极设置在所述基片的下表面，所述侧导电极设置在所述基片的侧端面，且与所述正电极和背电极相连接，所述外保护层覆盖在所述正电极的上表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白云峰，
申请(专利权)人：东莞市简创电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：