一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池，该器件的结构包括：多晶硅PN结、63Ni长寿命放射性同位素材料及屏蔽盒。该器件以金属泡沫镍材料经高通量工程试验反应堆(HFETR)辐照制成的63Ni长寿命放射性同位素材料为β辐射伏特效应放射源。将63Ni长寿命放射性同位素材料放置于多晶硅PN结之间，制成“夹心”式同位素电池。该器件以63Ni长寿命放射性同位素材料为β辐射伏特效应放射源，实现在β辐射伏特效应作用下，电子在多晶硅PN结迁移形成电势差。本器件为新型结构的核电转换器件，器件能量转换效率高，能创造很好的经济效益。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池，该同位素电池至少包含一个β辐射伏特效应放射源、两个多晶硅PN结和一个屏蔽盒，其特征在于同位素电池由两个多晶硅PN结的N型半导体相对，中间夹有β辐射伏特效应放射源并将多晶硅PN结置于屏蔽盒内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊平，郭萍，李广，谢玉琪，
申请(专利权)人：郭萍，南华大学，
类型：实用新型
国别省市：