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一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池制造技术
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文档序号:8233426
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本实用新型公开了一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池,该器件的结构包括:多晶硅PN结、63Ni长寿命放射性同位素材料及屏蔽盒。该器件以金属泡沫镍材料经高通量工程试验反应堆(HFETR)辐照制成的63Ni长寿命放射性同位素材料为β辐射伏特效应放...
该专利属于郭萍;南华大学所有,仅供学习研究参考,未经过郭萍;南华大学授权不得商用。
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