钼反应腔制造技术

本实用新型专利技术涉及一种钼反应腔，钼反应腔是由四个钼体外侧板、四个钼体内侧板和四个钼体底板拼接而成的环形腔室结构，且四个钼体外侧板的高度大于四个钼体内侧板的高度；四个钼体外侧板、四个钼体内侧板与底板之间分别采用链接的方式连接；四个钼体外侧板之间、四个钼体内侧板之间分别采用搭接的方式连接；四个钼体外侧板和四个钼体内侧板之间采用螺杆螺母结构锁紧在一起；四个钼体外侧板和四个钼体内侧板的上边缘分别设有包边；螺杆螺母结构共16个，在侧板搭接处两侧对称各有一组螺杆螺母结构，其中一组螺杆螺母结构上还锁有一折钩，且螺杆螺母结构的中心线与侧板搭接处的中心线之间形成的角度为3.9°。本实用新型专利技术连接牢固，使用寿命长。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及有机金属化学气象沉积设备领域，更具体的说涉及一种钥反应腔，使用于MOCVD工艺。
技术介绍
随着化合物半导体器件(如GaAs丽1C、InP丽IC以及GaN蓝光LED)市场的不断扩大，MOCVD系统的需求量不断增长。目前国际上实力最为雄厚的MOCVD系统制造商有德国、美国、英国等。因为MOCVD系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性，因此不同厂家的MOCVD系统最主要的区别在于反应室结构。目前国内使用于MOCVD设备主要是LED光电行业，而且MOCVD设备相对国内 的LED厂商来讲都是全进口设备，对于该设备的部件，基本上都是采用德国原厂的部件，以保证设备的正常使用，其进口的钥反应腔是由2个扇形组成的结构。因此MOCVD设备及其备品备件基本上都是国外设备公司垄断。根据国内LED厂商实际使用状况，我们国内LED芯片厂商为了降低生产成本，就需要部分设备备品备件都国产化。因此我们有必要进行自行设计和开发钥反应腔。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术的不足之处，提供一种钥反应腔，其连接牢固，使用寿命长。本技术的技术解决措施如下钥反应腔，所述钥反应腔是由四个钥体外侧板、四个钥体本文档来自技高网...

【技术保护点】
钼反应腔，其特征在于：所述钼反应腔是由四个钼体外侧板、四个钼体内侧板和四个钼体底板拼接而成的环形腔室结构，且四个钼体外侧板的高度大于四个钼体内侧板的高度；所述四个钼体外侧板、四个钼体内侧板与底板之间分别采用链接的方式连接在一起；所述四个钼体外侧板之间、四个钼体内侧板之间分别采用搭接的方式连接在一起；所述四个钼体外侧板和四个钼体内侧板之间采用螺杆螺母结构锁紧在一起；所述四个钼体外侧板和四个钼体内侧板的上边缘分别设有包边。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高建锋，
申请(专利权)人：湖州维德光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：