用于加工基底的源和布置制造技术

本发明专利技术涉及用于将一种或多种气态前体供给到基底（4）的表面（6）上的源（1）以及用于通过使所述基底（4）的所述表面（6）经受所述前体（A、B）的交替反复的表面反应加工所述基底（4）的布置，所述源（1）包括用于将至少一种或多种前体（A、B）供给到所述基底（4）的所述表面（6）上的气体供给构件（3）。根据本发明专利技术，所述气体供给构件（3）适于绕旋转轴（2）旋转，所述旋转轴（2）布置为基本平行于所述基底（4）的所述表面（6）延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于使用一种或多种气态前体加工基底的源，并且更精确地，涉及根据权利要求I的前序部分所述的源，所述源用于将一种或多种气态前体供给到基底表面上以通过使正被加工的基底表面经受所述前体的交替重复的表面反应来加工基底，所述源包括用于将一种或多种前体供给到所述基底表面上的气体供给装置。另外，本专利技术涉及用于使用一种或多种前体加工基底的布置，并且更精确地，涉及根据权利要求26的前序部分所述的布置，所述布置通过使正被加工的基底表面经受所述前体的交替重复的表面反应来加工基底。
技术介绍
在诸如原子层沉积法(ALD法)或其中基底表面经受前体的交替重复的表面反应的类似方法之类的沉积方法中，沉积层的生长速率通常较慢。为了在沉积过程中获得所期望 的层厚度，基底表面必须经受多个连续时间的前体脉冲。常规地，原子层沉积法已经通过使基底在反应腔中经受交替表面反应(借助于以脉冲方式将前体连续地供给给反应腔并且在前体脉冲之间将冲洗介质脉冲地注入反应腔内)而实施。在这种常规原子层沉积法中，包括在前体脉冲供给与冲洗脉冲之间的一个沉积过程周期需要大约0. 5秒。通过原子层沉积法能够获得的层厚度生长为大约I埃/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·特恩奎斯特，
申请(专利权)人：BENEQ有限公司，
类型：
国别省市：