含硅嵌段共聚合物及其合成和使用方法技术

本发明专利技术描述含硅单体和共聚物的合成。单体三甲基-(2-亚甲基丁-3-烯基)硅烷（TMSI）的合成和随后具有苯乙烯二嵌段共聚物的合成，形成聚苯乙烯-嵌段-聚三甲基甲硅烷基异戊二烯，及合成二嵌段共聚物聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酰氧基甲基三甲基硅烷或PS-b-P(MTMSMA)。这些含硅二嵌段共聚物具有多种用途。一种优选的应用为作为用于光刻法的具有低于100nm的特征的新型压印模板材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及衍生自两种(或更多种)单体物质的杂聚物或共聚物，所述单体物质中的至少ー种并入了硅原子。所述化合物具有包括在包括使模板图案化以便在纳米压印光刻法中使用的半导体エ业中的多种应用的许多用途。
技术介绍
使用常规多颗粒介质改善硬盘驱动器中的面密度当前受到超顺磁极限约束。位模式介质可通过产生由非磁性材料隔开的分离的磁性岛而绕过该限制。如果可产生具有低于25nm的特征的模板，纳米压印光刻法则是制造位模式介质的吸引人的解决方案。在光学光刻法中的分辨率极限和归因于缓慢生产率的电子束光刻法的限制性成本需要新的模板图案化方法。ニ嵌段共聚物自组装成在5-100nm范围内的轮廓分明的结构 生成在制造位模式介质所需要的长度尺度下的特征。这通过使用ニ嵌段共聚物来最有效地完成，从而制造用于压印光刻法的模板。在利用恰当模板的情况下，可使用压印光刻法来有效地制造位模式介质。先前的研究已经针对于在通过聚合后SiO2生长、使用超临界CO2使氧化硅沉积和含硅ニ茂铁基单体来将硅选择性并入一个嵌段中得到耐蚀刻性的情况下来制造六边封装的柱形形态的嵌段共聚物。需要的是产生可被蚀刻的具有低于IOOnm的特征的压印模板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·G·威尔森，C·贝茨，J·斯特拉恩，C·埃利森，B·米勒，
申请(专利权)人：得克萨斯大学体系董事会，
类型：
国别省市：