半导体装置及其制造方法、图像显示装置的制造方法制造方法及图纸

本技术提供了半导体装置及其制造方法以及图像显示装置的制造方法，半导体装置的制造方法包括：在基材上形成栅极电极；在基材和栅极电极上形成栅极绝缘层，其中，凹部形成在要形成沟道形成区域中；基于涂布法在凹部内形成包括有机半导体材料的沟道形成区域；以及从栅极绝缘层在沟道形成区域的部分上形成源极电极/漏极电极。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体装置及其制造方法和图像显示装置的制造方法。
技术介绍
当前，用在各种电子装置中的包括薄膜晶体管的场效应晶体管(FET)例如由以下部分构成在诸如硅半导体基材或硅半导体材料层的基材中形成的沟道形成区域和源极电极/漏极电极、包括形成在基材的表面上的SiO2的栅极绝缘层、以及被设置为面向沟道形成区域和栅极绝缘层的栅极电极。此外，这种FET简称为顶栅型FET。可选地，通过设置在支持体上的栅极电极、设置在包括栅极电极和包括SiO2的支持体上的栅极绝缘层、以及在栅极绝缘层上形成的沟道形成区域和源极电极/漏极电极来配置FET。此外，这种FET简称为底栅型FET。用于制造半导体装置的非常昂贵的装置被用于制造具有上述结构的FET，因此需要降低制造成本。其中，最近，已经积极地开发出使用包括有机半导体材料的薄膜的电子装置，特别是，诸如有机晶体管的有机电子器件(在下文中可简称为有机器件)受到人们的关注。这些有机器件的最终目标是具有低成本、轻重量、柔韧性和高性能。当与作为主要实例的硅的无机材料相比时，有机半导体材料(I)允许通过简单工艺以低成本在低温下制造大尺寸的有机器件；(2)允许制造具有柔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括：在基材上形成栅极电极；在所述基材和所述栅极电极上形成栅极绝缘层，其中，在所述栅极绝缘层的要形成沟道形成区域的区域形成有凹部；基于涂布法在所述凹部内形成由有机半导体材料构成的所述沟道形成区域；以及在所述栅极绝缘层上到所述沟道形成区域的一部分上形成源极电极/漏极电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：桧森和雄，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：