一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法技术

本发明专利技术涉及电子材料制作领域，尤其是指一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法，其步骤包括：A：将由金属盐、粘合剂和有机溶剂形成的前驱体，利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上；B:将步骤A所述的前驱体置于马弗炉中400～800℃煅烧2～4h。本发明专利技术通过电纺丝技术制备的有源层实现低成本、大规模的纳米尺度、高性能场效应晶体管的制作。该制备方法要求的环境很宽松，不需要在手套箱等无水无氧环境下实施，简化了工艺，且制得的有机电子器件具有很强的抗水氧能力，很好地简化了有源层的制作方法，同时改善了有源层的性能，获得高性能的场效应晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子材料
，尤其涉及一种采用静电纺丝制备金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的方法。
技术介绍
随着信息时代的到来，显示器正加速向平板化、节能化的方向发展，其中以薄膜晶体管(TFT)为开关的有源阵列矩阵驱动显示器成为众多平板显示技术中的佼佼者。金属氧化物半导体TFT具有低温生长、高迁移率、大的电流开关比的优点。同时又能提高显示器的响应速度，满足高清晰、大容量终端显示的要求，具有取代Si基器件成为下一代薄膜晶体管技术的可能，有很大的应用前景。目前，用于制备金属氧化物薄膜晶体管有缘层的方法主要有真空沉积，溶液旋涂和喷墨印刷方法。真空沉积需要较严格真空设备，操作复杂，而且生产成本高，不利于工业化生产。旋涂成膜容易出现针孔现象，膜不连续，对器件性能产生很大的影响。而喷墨印刷存在着对墨水的粘度、表面张力等物理化学性质要求极为苛刻，同时印刷设备本身的成本高的缺陷。因此，开发一种低成本，同时能更好地改善有缘层薄膜质量的制备方法来获得高性能的金属氧化物晶体管显得尤为迫切。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供，其步骤包括 A :将粘合剂、有机溶剂和含有锌、铟、镓或锡中至少一种元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法，其特征在于，其步骤包括：A：将粘合剂、有机溶剂和含有锌、铟、镓或锡中至少一种元素的金属盐混合形成的前驱体，利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上形成复合纳米纤维膜；B:将步骤A所获得的复合纳米纤维膜在400～800℃煅烧2～4h，从而获得金属氧化物薄膜场效应晶体管的有源层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘革波，肖燕，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：